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1.
利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si(111)-(3×3)R30°-Ga重构表面的原子结构.证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上,同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标.可靠性因子RVHT=0.143表明理论计算和实验符合得非常好.
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2.
利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si(111)-(3×3)R30°-Ga重构表面的原子结构.证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上,同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标.可靠性因子RVHT=0.143表明理论计算和实验符合得非常好.
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3.
利用自动张量低能电子衍射 (ATL EED)定量地研究 Si(111) - (3× 3) R30°- Ga重构表面的原子结构 .证实了 Ga原子吸附在 T4位即第二层 Si原子所对的空位上 ,同时给出了表面最顶层 7个原子层的详细坐标 .可靠性因子 RVHT=0 .143表明理论计算和实验符合得非常好 .
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