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厚膜电阻的大范围连续可调设计 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了厚膜电阻微调系数和大范围连续可调的基本概念,指出常规厚膜电阻微调系数不超过2,采用帽状电阻可以在一定程度上提高微调系数,但由于受到电阻尺寸的限制,仍不能满足10倍以上的大范围连续可调要求。文中探讨了利用串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。与单个电阻相比,电阻的串并联微调结构对微调系数具有明显的放大作用,从而使大范围连续可调的实现成为可能。当微调系数超过10时,可通过两个帽状电阻的串并联来实现大范围连续可调,三个矩形电阻的串并联结构可使阻值连续可调范围达30倍以上. 相似文献
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4共晶焊返工工艺研究
共晶焊返工的目的主要是为了更换焊接质量不合格或电性能不合格芯片,在科研生产实践中,极少出现因基板本身(并非其上元件)出了问题,而需将已焊接在外壳内的基板取下来重新更换,鉴于基板与外壳的共晶焊返工缺乏实际意义,因此下面只介绍芯片共晶焊返工的研究情况。 相似文献
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介绍了清洗过程所包含的清洗媒体、污垢、清洗力等基本要素,并在此基础上说明了清洗技术在微电子领域的应用。 相似文献
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探讨了耐高过载概念的基本内涵,介绍了MCM—C耐高过载试验研究的主要内容和试验方法,给出了MCM—C耐高过载试验研究的结果和分析结论。 相似文献
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介绍了厚膜HIC中芯片与基板、基板与外壳共晶焊研究、共晶焊返工和可靠性研究的主要内容和研究结果,阐明了为保证共晶焊质量和可靠性所应采取的工艺控制方法和措施。 相似文献
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探讨了过载、高过载概念的基本内涵,阐述了军用微电子抗高过载技术研究的主要内容和研究方法,介绍了抗高过载研究的初步结果,说明了抗高过载研究的重要意义。 相似文献