半绝缘GaAs单晶的研制

本文介绍原位合成生长半绝缘GaAs单晶研究与杂质分析结果。Ga、As比的控制,坩埚材料,热处理等条件均对单晶质量产生影响。制得直径75mm、重2.2kg的半绝缘GaAs单晶。典型电参数为:ρ300K≥10~7Ω·cm,μ300K=5380cm~2/V·s。经850℃热处理15分钟,Rs>10~7/□。利用本实验制得的半绝缘GaAs单晶,经外延、离子注入后制成的场效应管性能良好。     

高压液封原位合成直拉半绝缘GaAs单晶

<正>国内外对半绝缘GaAs单晶的生长及质量研究开展了十分广泛的工作.南京固体器件研究所已研制成JW-0002大型高压单晶炉.生长出重2公斤,最大直径74毫米的GaAs单晶,经初测性能良好.     

高压液封原位合成直拉半绝缘GaAs单晶

<正>近年来国际上对场效应器件及集成电路用半绝缘GaAs单晶开展了大量研究工作,取得了一定的进展.目前采用下述几种方法生长GaAs单晶:(1)高压液封原位合成直拉法,(2)低压液封直拉法(预合成多晶料),(3)低压液封直接合成直拉法,(4)水平三温区法.其中方法(1)是一种液Ga和液As反应合成GaAs后直拉得到单晶的方法.其余均为液Ga和As蒸气缓慢反应合成GaAs后再生长单晶的方法.     

应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶

报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm~(-2),局部无位错。     

轻掺铬SI-GaAs单晶生长及应用

本文报道了LEC-SI-GaAs单晶生长研究及其结果.结合材料应用,生长了一种轻掺铬SI-GaAs单晶.用这种单晶作衬底,经汽相外延,离子注入及分子束外延后制作器件,都取得了满意的结果.     

通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶生长过程中Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。     

高压液封原位合成直拉半绝缘砷化镓单晶的研制

本文主要叙述采用高压液封原位合成直拉法生长半绝缘GaAs单晶的合成原理、工艺概述和实验结果。以该材料为衬底,经汽相外延试制的10千兆赫低噪声场效应管,得到了夹断电压3.5伏、增益7.4分贝、最低噪声系数1.4分贝的良好结果。最后对该方法的优缺点加以讨论。此方法是获得大直径、圆断面、高质量半绝缘GaAs单晶的好方法。     

形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究

在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．