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介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制. 相似文献
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针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息. 相似文献
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