硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.     

单轴应力下掺氮GaP光致发光研究

我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN_1线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN_2峰,我们通过单轴应力下的光致发光研究观察到NN_2线。实验样品是液相外延N型GaP,实验样品有两种(以下简称样品A和样品B),它们掺杂浓度不同,样品A长7.5mm,宽4.34mm,厚0.40mm,样品B长7.5mm宽4.34mm,     

质子注入直拉硅中缺陷的研究

对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E(0.30)是质子注入所特有的,它很可能是与氢有关的深能级.与电子辐照对比,离子注入在E(0.41)附近引入了除双空位及磷空位以外的新的缺陷.质子注入引入的氢能使n型样品中各电于陷阱的退火温度有不同程度的降低;在P型样品中,当质子注入剂量为5 × 10~(10)/cm~2与1.5 × 10~(11)/cm~2时,各空穴陷阱的退火温度降低并会聚在150℃,但当质子注入剂量大于或等于5 × 10~(11)/cm~2时,注入的氢对各空穴陷阱的退火没有明显的影响.对以上现象作了分析与讨论.     

硅中负电态和中性态A中心在<100>单轴应力下的择优取向

本文指出,通过改变偏压和注入脉冲条件,单轴应力下的DLTS方法可以用来分别研究硅中纯的中性态和负电态A中心在单轴应力下的择优取向,并首次用此法测得中性态和负电态A中心在<100>单轴应力下不等价取向间能量差的压力系数,进而求得<100>单轴应力下不等价取向间电子能量差的压力系数。和已报道的单轴应力下EPR测得的结果作了比较。     

n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究

用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为.由引入率与电照能量的关系推断,P_2、P_3两缺陷是与两个以上原子位移有关的缺陷,而不是象E_3、E_4、E_5那样的单原子位移缺陷.5MeV电照下,E_3与E_5的引入率分别是0.5-MeV电照的13倍和9倍,而在这两个能量下,E_4的引入率之比却是55倍.这说明E_4不仅可以由电照直接引入,也可以由较大能量电照产生的某种多位移缺陷的分解而引入.     

硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.