磁存储器之纳米相微晶玻璃基片研究

利用差热分析(DTA)探讨了不同成核剂含量(ZrO2 P2O5)对β-石英相纳米微晶玻璃制备的影响,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等分析了热处理制度控制对获得纳米相微晶玻璃的影响。结果表明：4％(质量分数)ZrO2 2％(质量分数)P2O5的复合成核剂含量能促进β-石英相和二硅酸锂的形成,阻止了向β-锂霞石的转变,在一定工艺条件下核化、晶化,可制备出粒径约为35nm、均匀分布的纳米相微晶玻璃,其抗弯强度达247MPa,抗压强度达414MPa,维氏硬度达659MPa,可用作高性能磁存储器基片。     

基于自适应高阶补偿CMOS带隙基准源的设计

文章利用线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,引入了一种结构新颖简单、适应不同开口方向的电压基准高阶补偿方法.基于该补偿方法,设计了一款高精度的电压基准电路,根据温度补偿原理合理确定各器件参数,包括电压电流大小、电阻等参数;在这基础上用Cadence Sepctre进行仿真（本设计采用CSMC 0....     

一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计

基于线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,提出了一种结构简单、适应不同开口方向的高阶补偿方法。并设计了一种基于电流镜结构的低温漂、高精度的电压基准电路。CSMC 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40~125 ℃温区范围内温度系数为2.84×10^-6/℃,低频100 Hz时的PSRR达到-70.6 dB,10 kHz为-63.36 dB。当电源电压在2~3 V范围内变化时,其电压值波动为3 mV/V。整个带隙基准电压源具有较好的综合性能。