MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究

利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.     

Pt/Si界面化学键性质的研究

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果.     

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。     

光谱图象的多特征识别

本文叙述使用一维空间可变相干光处理系统和根据投影变换原理对光谱图形进行多特征识别,对含Mg、Fe、Cu的溶液的浓度进行了测定,并将此实验结果与由等离子体发射光谱化学分析法获得的结果进行了比较。     

Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究

本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si(111)界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10~(-10)mbar)中,高纯Ti(99.99％)淀积在Si(111)表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点解释了所观测到的化学位移.具有氧玷污的Ti 蒸发源,淀积在Si(111)表面上,没有观察到界面相互作用.如果在Si(111)表面存在极薄的氧化层,则在界面处首先形成 Ti的氧化物.文中讨论了氧玷污对界面互作用的影响.     

一种能有效降低NiCr薄膜TCR的工艺

利用固相扩散的原理,我们试验出了一种能有效降低NiCr薄膜电阻TCR的新工艺——蒸发-扩散法。 采用蒸发-扩散法工艺制作了一种TCR优于±10ppm/℃(-55～125℃)的改性NiCr薄膜电阻,其性能达到了MIL-83401C中H级的要求。 采用转靶X射线衍射仪,测得改性NiCr薄膜为一种无序多晶结构。采用XPS(光电子能谱)和AES(俄歇电子能谱)法对改性的NiCr薄膜进行了微观研究,发现Au在NiCr薄膜中进行了深度扩散。随着Au的扩散,NiCr薄膜的电阻率提高,而温度系数(TCR)明显下降,从而提高了NiCr薄膜电阻器的稳定性和可靠性。     

分析仪器的微计算机数据采集和处理系统的研制

本文提出分析仪器的微型计算机数据采集和处理系统的研制。介绍了接口电路及实时钟控制原理。应用于分析仪器输出的模拟信号的自动采集、处理和显示。