LF精炼渣低氟化研究进展

萤石对环境的污染日益受到重视,为了减少在精炼过程中CaF2的使用量,达到精炼渣低氟、无氟化的目的,开展了相关研究。综述了铝酸钙基精炼渣的性能以及B2O3,Li2O,BaO等替代物对精炼渣熔化温度、黏度以及脱硫能力、耐火材料侵蚀的影响。已有研究表明,使用铝酸钙基精炼渣能够有效降低CaF2的使用量,并具有良好的熔化性、发泡性以及脱硫性能;B2O3,Li2O,BaO等替代物都能够降低精炼渣的熔化温度和黏度,Li2O和BaO的加入增加了渣中O2-的活度,有利于提高精炼渣的脱硫能力。此外,精炼渣黏度的降低也促进了渣金界面反应的发生以及钢液中夹杂物的吸收。     

分布式光伏电源接入对配电网可靠性的影响研究

随着大量分布式光伏电源的接入,传统配电网的拓扑结构和潮流运行会发生很大变化,且光伏电源的不同运行配置也会对配电网可靠性产生不同的影响,因此有必要对分布式光伏接入配电网后的运行可靠性进行准确的评估和分析. 本文采用网络分区和蒙特卡洛法相结合的评估算法计算了分布式光伏电源接入配电网前后的可靠性指标,分别研究了分布式光伏电源在接入位置、接入容量、并网方式和运行模式不同时配电网的可靠性程度,并对可靠性结果进行定量定性分析,从而研究分布式光伏电源在不同运行配置下对配电网可靠性的影响,为分布式光伏电源接入配电网的选址提供一定的理论依据.     

新哨隧道平导横通道进正洞挑顶技术方案

在长大隧道的施工过程中,为满足工期和运营的需要,往往需要增设平行导坑或斜井,平导完成后,需要进行挑项,以逐步扩大到正洞的大断面施工,通往正洞施工的过渡段受力复杂,处理不好可能形成长期的安全隐患,所以进正洞挑项是施工的重点,需要引起足够的重视,必须综合考虑各种因素,采取最优的施工方案,保证施工既安全又经济的方式进入正洞施工.     

转炉炼钢厂物流分级式监控及管理系统

本文介绍了分级式监控及管理体系结构,并详细分析了这种结构在实现转炉炼钢厂物流重量数据采集及管理的计算机集成控制系统的应用,以及该系统的软硬件实现技术和数据校正技术的运用。     

血液灌注联合血液透析治疗重度有机磷农药中毒的38例疗效分析

目的探讨血液灌注联合血液透析治疗重度有机磷农药中毒临床价值。方法将我院收治的114例重度有机磷农药中毒的患者随机分为3组,3组患者都预先给予相同的综合治疗,在此基础上,I组患者采用常规血液灌注治疗(HP),II组患者采用血液透析治疗(HD),III组患者采用血液灌注联合血液透析治疗(HP+HD)。观察各组患者的苏醒时间、呼吸机使用时间、住院天数、死亡率。对患者血浆CHE活性和使用阿托品的量进行统计。并观察不良反应的发生情况。结果 III组患者与I组、II组患者相比,苏醒时间早、呼吸机使用时间短、住院天数少、患者死亡率低、患者血浆内CHE活性升高幅度大、阿托品使用量少,经统计学分析,P<0.05。患者发生不良情况较少。结论治疗重度有机磷农药中毒的患者,可采用血浆灌注联合血液透析治疗,患者死亡率低,生存率高。     

智能电网监控运行大数据分析系统统一建模方法研究

随着电网监控运行一体化运行趋势愈发明显,大数据技术应用的不断成熟、普及,为具有多源、高维、异构等特征的电网监控大数据的分析与应用提供了解决方案。本文提出了面向智能电网监控运行大数据分析系统的统一建模方法,分析了监控大数据的数据源、数据范围及现状与存在问题,指出了数据建模所需解决的问题与思路,采用元数据思想构建了公共模型,基于业务需要构建了应用模型,对于数据接入与存储管理方面,定义了元数据模型,其目的是在接入、汇总监控业务相关数据源的基础上,构建以设备为中心的监控数据关联模型,实现数据对象统一建模,为实现多源数据高效、规范接入提供了模型支撑,同时定义了符合该建模思路的元模型,元模型约束了建模行为,保证建立的模型遵行领域约束,为上层智能监控大数据分析应用奠定了基础。     

有机前驱体裂解硅基陶瓷的应用研究

有机前驱体裂解陶瓷(PDCs)自发现以来的短短50年时间里得到了迅速发展,在航空航天、机械、能源、信息和微电子等领域表现出重要的应用价值。本文介绍了硅基前驱体转化陶瓷技术在制备纤维、涂层、块体材料、陶瓷基复合材料及其他方面的应用研究进展,提出将PDCs用作非氧化物陶瓷烧结助剂的思路,阐述了这种创新应用途径的可行性和研究现状。此外,本文还回顾了作者所在课题组在PDCs方面开展的相关研究工作。     

智能电网监控运行大数据分析系统统一建模方法研究

随着电网监控运行一体化运行趋势愈发明显,大数据技术应用的不断成熟、普及,为具有多源、高维、异构等特征的电网监控大数据的分析与应用提供了解决方案。本文提出了面向智能电网监控运行大数据分析系统的统一建模方法,分析了监控大数据的数据源、数据范围及现状与存在问题,指出了数据建模所需解决的问题与思路,采用元数据思想构建了公共模型,基于业务需要构建了应用模型,对于数据接入与存储管理方面,定义了元数据模型,其目的是在接入、汇总监控业务相关数据源的基础上,构建以设备为中心的监控数据关联模型,实现数据对象统一建模,为实现多源数据高效、规范接入提供了模型支撑,同时定义了符合该建模思路的元模型,元模型约束了建模行为,保证建立的模型遵行领域约束,为上层智能监控大数据分析应用奠定了基础。     

GaN-on-Si blue/white LEDs: epitaxy, chip, and package

The dream of epitaxially integrating III-nitride semiconductors on large diameter silicon is being fulfilled through the joint R&D efforts of academia and industry, which is driven by the great potential of Ga N-onsilicon technology in improving the efficiency yet at a much reduced manufacturing cost for solid state lighting and power electronics. It is very challenging to grow high quality Ga N on Si substrates because of the huge mismatch in the coefficient of thermal expansion(CTE) and the large mismatch in lattice constant between Ga N and silicon, often causing a micro-crack network and a high density of threading dislocations(TDs) in the Ga N film.Al-composition graded Al Ga N/Al N buffer layers have been utilized to not only build up a compressive strain during the high temperature growth for compensating the tensile stress generated during the cool down, but also filter out the TDs to achieve crack-free high-quality n-Ga N film on Si substrates, with an X-ray rocking curve linewidth below 300 arcsec for both(0002) and(10N12) diffractions. Upon the Ga N-on-Si templates, prior to the deposition of p-Al Ga N and p-Ga N layers, high quality In Ga N/Ga N multiple quantum wells(MQWs) are overgrown with well-engineered V-defects intentionally incorporated to shield the TDs as non-radiative recombination centers and to enhance the hole injection into the MQWs through the via-like structures. The as-grown Ga N-on-Si LED wafers are processed into vertical structure thin film LED chips with a reflective p-electrode and the N-face surface roughened after the removal of the epitaxial Si(111) substrates, to enhance the light extraction efficiency. We have commercialized Ga N-on-Si LEDs with an average efficacy of 150–160 lm/W for 1mm~2 LED chips at an injection current of 350 m A, which have passed the 10000-h LM80 reliability test. The as-produced Ga N-on-Si LEDs featured with a single-side uniform emission and a nearly Lambertian distribution can adopt the wafer-level phosphor coating procedure, and are suitable for directional lighting, camera flash, streetlighting, automotive headlamps, and otherlighting applications.