基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

CMOS图像传感器及其研究

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.     

一种安全灵活的多方签名加密体制

多方签名加密体制是对签名加密体制的扩展，即多个签名者共同对消息进行签名加密操作。文章首先分析了现有的多方签名加密体制存在的缺陷，然后讨论了一种新的多方签名加密体制。该体制不仅能够有效实现消息机密性、消息不可伪造性、不可否认性及强健性等安全服务，而且可以实现消息灵活性、次序灵活性、消息可验性以及次序可验性。因此，该体制适用于保护消患及多个签名者免遭恶意攻击。     

BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟

对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析．推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路,采用通用电路仿真软件PSpice9,对BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟,得到了随温度变化的特性曲线,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统MOSFET,证明了BJMOSFET具有较好的温度特性。