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We have theoretically calculated the photovoltaic conversion efficiency of a monolithic dual-junction GaInP/GaInAs device,which can be experimentally fabricated on a binary GaAs substrate.By optimizing the bandgap combination of the considered structure,an improvement of conversion efficiency has been observed in comparison to the conventional GaInP_2/GaAs system.For the suggested bandgap combination 1.83 eV/1.335 eV,our calculation indicates that the attainable efficiency can be enhanced up to 40.45%(30... 相似文献
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通过对NiSi2的表面等离激元共振能量和ZnO/NiSi2的Purcell因子的计算,结果表明可以利用NiSi2与ZnO之间的表面等离激元耦合效应来增强ZnO的紫外发射。实验中,ZnO薄膜直接沉积在NiSi2层上,其中NiSi2层通过Ni离子注入的方法获得,并且其表面粗糙度可在3 nm到38 nm的大范围内调节,为研究表面等离激元增强ZnO紫外发射创造了有利的实验条件。在最粗糙的NiSi2层上制备的ZnO,其紫外发射获得了11倍的增强。本文的实验结果表明,NiSi2有望应用在电互联材料的同时,还可以用其来增强半导体的光发射。 相似文献
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采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性. 相似文献
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利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。 相似文献
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The calculation results of the surface plasmon(SP) energy and Purcell factor of ZnO/NiSi_2 demonstrate the possibility of using NiSi_2 to enhance the UV emission of ZnO by SP coupling.Experimentally,ZnO films were deposited on NiSi_2 layers synthesized by ion implantation,and the roughness of the NiSi_2 layers spans a large range from 3 to 38 nm,providing favorable conditions for investigating SP-mediated emission.An 11-fold emission enhancement from the ZnO film on the roughest NiSi_2 layer was obtained... 相似文献
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