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采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0~4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。 相似文献
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通过对轨道交通中的光无线通信系统建模,分析了车厢内、外部直道和弯道通信模型的性能指标.仿真结果表明,该光无线通信系统在达到Gb/s的传输速率时仍能满足信噪比需求. 相似文献
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代丰羽尹怡辉朱少林王景国 《光通信技术》2014,(4):42-44
详细阐述了可调激光器模块的硬件及软件设计方案。实现了一个可以通过远端软件界面控制的窄线宽、高功率可调谐激光器模块。该模块的输出光功率、波长可调,线宽为500kHz,体积小,满足ITU通道间隔标准,并通过了测试验证。 相似文献
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基于AWSC 2 μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率,解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明,在N77工作频段内,该功率放大器的增益为36~38 dBm,输出功率1 dB压缩点为37 dBm,输出功率1 dB压缩点处的功率附加效率为49.3 %,输出功率28.5 dBm处的功率附加效率为16.5 %、相邻频道泄漏比为-38.2 dBc。 相似文献
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基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率。结果表明,在3.4 V电源电压、2.8 V偏置电压时,在工作频带815~915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39%~41%,第一相邻信道泄漏比ACLR1小于-38.1 dBc,第二相邻信道泄漏比ACLR2小于-44.8 dBc。 相似文献