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1.
在求解半导体扩散层中有效杂质浓度分布时,如果将半导体的载流子迁移率μ当作常数,所得的结果与实际分布有较大的出入。为了将迁移率的变化考虑到计算中,提出一个分段函数对n型硅的迁移率实验曲线进行拟合。考虑载流子迁移率μ的分布后,实验求得的分布曲线与实际分布更加接近了。  相似文献   
2.
通过对NiSi2的表面等离激元共振能量和ZnO/NiSi2的Purcell因子的计算,结果表明可以利用NiSi2与ZnO之间的表面等离激元耦合效应来增强ZnO的紫外发射。实验中,ZnO薄膜直接沉积在NiSi2层上,其中NiSi2层通过Ni离子注入的方法获得,并且其表面粗糙度可在3 nm到38 nm的大范围内调节,为研究表面等离激元增强ZnO紫外发射创造了有利的实验条件。在最粗糙的NiSi2层上制备的ZnO,其紫外发射获得了11倍的增强。本文的实验结果表明,NiSi2有望应用在电互联材料的同时,还可以用其来增强半导体的光发射。  相似文献   
3.
提出了一种新的测量成品太阳电池基区少子寿命的方法,这种方法在电池制备完成后进行测量。此方法还可对印刷电极后烧结这步工艺流程进行少子寿命的监控,以提供改进电极制作工艺信息。  相似文献   
4.
The calculation results of the surface plasmon(SP) energy and Purcell factor of ZnO/NiSi_2 demonstrate the possibility of using NiSi_2 to enhance the UV emission of ZnO by SP coupling.Experimentally,ZnO films were deposited on NiSi_2 layers synthesized by ion implantation,and the roughness of the NiSi_2 layers spans a large range from 3 to 38 nm,providing favorable conditions for investigating SP-mediated emission.An 11-fold emission enhancement from the ZnO film on the roughest NiSi_2 layer was obtained...  相似文献   
5.
利用管式PECVD在太阳电池片上沉积双层折射率和厚度均不同的SiNx:H薄膜。这种双层SiNx:H薄膜是采用2个不同的硅烷氨气流量比在1次沉积过程中获得的,其第1子层(靠近硅片)具有较高的折射率和较薄的厚度,而第2子层具有较低的折射率和较厚的厚度。椭圆偏振测厚仪、微波光电导衰退(μ-PCD)以及I-V特性等的测试结果表明,这种折射率变化的双层SiNx:H薄膜,相比折射率单一的单层SiNx:H薄膜,具有更好的表面钝化效果,其所钝化的单晶硅太阳电池,光电转换效率可以绝对提高0.2%以上,而且在1个月内没有发生明显衰减。  相似文献   
6.
利用PECVD在硅片上沉积SiNx:H薄膜,研究硅烷氨气流量比对SiNx:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09~0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR的逐渐增加,Si的含量逐渐增加,折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明,Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜,相比Si含量过低或过高的薄膜,呈现出更为稳定的钝化效果。  相似文献   
7.
在单晶硅太阳电池的绒面制作过程中分别采用一元醇(乙醇、异丙醇)和二元醇(乙二醇、丙二醇)作为添加剂,比较它们对单晶硅绒面特性的影响.实验表明,一元醇可以降低化学反应速率,而二元醇可以加快反应速率,缩短制绒时间.二元醇相比一元醇具有更高的沸点,在制绒过程中挥发更少,可以减少药品的损耗.降低成本,然而二元醇的消泡效果比一元醇差,制绒时需要采用更大的初始浓度.扫描电子显微镜(sEM)结果表明,一元醇趋向于使绒面金字塔更均匀,而二元醇则容易导致绒面金字塔不均匀.反射谱的测试结果表明,采用二元醇作为添加剂进行制绒,相比一元醇,可以获得更低的硅片表面反射率.  相似文献   
8.
提出了一种新的测量成品太阳电池基区少子寿命的方法,这种方法在电池制备完成后进行测量.此方法还可对印刷电极后烧结这步工艺流程进行少子寿命的监控,以提供改进电极制作工艺信息.  相似文献   
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