高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性

本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．     

超快速半导体激光器设计

多年来，半导体激光器的实际直接调制带宽普遍承认在较低的GHz范围或者略低于2 GHz。然而，许多应用可能使用频率超过10 GHz范围的直接调制。宽带长途通信和高速计算机通信需有每秒几Gbit速率的脉冲编码调制。模拟微波调制可以在低损耗先纤中使用，把天线和几公里以外的接收设备连接起来。在机载系统中使用这类较短的连接线有重要优点，通过光纤取代同轴电缆和金属波导,使重量大大减轻。     

光泵用大功率半导体激光器列阵

本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。