功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究

本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。     

多雷达空间目标协同探测任务规划研究

针对空间目标监视存在各传感器资源相互独立,预警资源得不到有效利用,导致空间目标探测时长不够、探测精度低等问题,提出了一种多雷达空间目标协同探测的任务规划方法,综合利用多个雷达传感器资源对空间目标进行协同探测,最终达到在短时间内累积足够的多圈有效探测数据进行协同探测的目的。文中通过对任务目标分析、资源编组、可探测性分析、弧段筛选分配等关键性技术进行分析,具体阐述了解决问题的方法。该任务规划方法在解决上述空间目标探测问题的同时可以大大节省雷达资源。     

基于源解析法的大气中PAHs污染排污收费模型

为降低人类面临的健康威胁和多环芳烃污染的致癌风险,规避生产企业的生产及排放行为,通过源解析技术,确定大气中多环芳烃类污染物来源的排放企业类型,并应用二层规划的系统优化理论,给出价格控制下的排污收费二层规划模型.模型中上层决策单位是政府（环境保护部门）,下层决策单位是产生有毒有害污染物的生产企业.在某种程度上,该模型解决...     

W-SiO2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析

氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中，共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术，本研究提出了以W为导电材料，SiO2为添加剂配制的导体桨料，获得了SiO2的质量分数在0.45%时，烧结应力减弱到充分小，使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度，导带方阻达到10mΩ/□，基板的翘曲度在50mm中小于50μm，导带焊盘的健合强度大于29.4MPa。     

基于SCADA系统的实时数据库管理系统研发

本文首先介绍了实时数据库和传统数据库区别,简要介绍了实时数据库的特点、事务调度以及在SCADA(Supervisory Control And Data Acquisition,数据采集与监视控制系统)系统中的应用。并采用VC6.0为工具就实时数据库的开发与应用进行了简单的介绍,并提出了数据缓冲池技术在实时数据库中的应用。     

松花江流域NPP时空演变及其对极端气候的响应机制

为探究全球气候变化条件下松花江流域陆地生态系统健康程度的变化特征,基于2000—2020年MODIS MOD17A3HGF数据集,采用趋势分析、相关性分析、M-K检验、地理探测器和相对重要性分析等方法,结合气象站点数据和土地利用数据,分析植被净初级生产力（net primary productivity,NPP）时空演变特征及其对极端气候事件的响应机制。结果表明：松花江流域年均NPP值为407.45g/m2（以C计,下同）,以年均4.82g/m2的速率显著上升（p<0.01）;极端降水事件对植被NPP空间分异性的影响强于极端气温事件,极端气候指数间交互作用的影响大于单一极端气候指数的影响,流域及农田和草地生态系统NPP主要受总降水量（PRCPTOT）与年平均最低气温（TMIN）交互作用的影响,森林、湿地和聚落生态系统NPP分别受中雨日数（R10mm）与年平均最高气温（TMAX）交互作用、强降水量（R95P）与TMIN交互作用和 R10mm与暖夜日数（TN90P）交互作用的影响;时间尺度上PRCPTOT、TMAX和TMIN是植被NPP的主要影响因素,空间尺度上PRCPTOT和TMIN是多年平均NPP的主要影响因素。研究结果可为量化气候变化背景下区域生态系统健康程度和应对极端气候事件措施的制定提供科学依据。     

AIN三维MCM技术研究

三维多芯片组件（3D MCM）是在2D MCM技术基础上发展起来的高级多芯片组件，可以进一步提高组件的组装密度，实现更小的体积和更多的功能；同时，为了改善3D MCM的散热性，提高可靠性，采用高导热率、热膨胀系数与Si匹配的AIN作为共烧多层基板材料。本研究通过将二者的优点结合起来，成功地制作出了AIN 3D MCM样品，并对其应用进行了初步探讨，取得了一定的成果。     

氮化铝基片生产工艺技术

本文讨论了氮化铝基片生产工艺中的一些问题。