HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明,研磨造成的晶片表面可见损伤,经机械和溴－乙醇化学抛光后将减少和去除。然而,化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出,这些凹凸可能是溴－乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。     

Kinetic process of nitridation on the α-sapphire surface

我们结合分子动力学模拟和动态蒙特卡洛方法,建立了蓝宝石表面的氮化模拟模型,依此揭示了氮化和过度氮化的过程和原理。通过MBE生长和同位RHEED表征,我们亦观察和分析了不同条件下的α面蓝宝石的氮化情况。结合模拟和实验,我们了解了氮化机制,并且圈定了合适的氮化范围。     

Optical properties of InN studied by spectroscopic ellipsometry

With recently developed InN epitaxy via a controlling In bilayer, spectroscopic ellipsometry (SE) measurements had been carried out on the grown InN and the measured ellipsometric spectra were fitted with the Delta Psi2 software by using a suitable model and the dispersion rule. The thickness was measured by a scanning electron microscope (SEM). Insight into the film quality of InN and the lattice constant were gained by X-ray diffraction (XRD). By fitting the SE, the thickness of the InN film is consistent with that obtained by SEM cross-sectional thickness measurement. The optical bandgap of InN was put forward to be 1.05 eV, which conforms to the experimental results measured by the absorption spectrum and cathodoluminescence (CL). The refractive index and the extinction coefficient of interest were represented for InN, which is useful to design optoelectronic devices.     

Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。     

用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构

用Laplace谱隐谱仪（LDS）实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因子混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较,LDS谱呈现出多峰结构,由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合,得到多峰结构各峰谱的激活能,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明,LDS适用于深能级精细结构的研究。     

闪锌矿GaN(001)表面的电子结构

采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外 ,还讨论了次表面层原子的性质     

GaN薄膜的椭偏光谱研究

采用椭圆偏振光谱法,在1.50～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50～6.50 eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。     

MOCVD AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的X射线反射谱与原子力显微研究

采用掠入射X射线反射谱技术与原子力显微技术对属有机化合物化学气相淀积生长的AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面和界面进行了精确表征。结合高分辨率X射线衍射谱与反射谱数据分析获得外延层各层厚度与AlGaN层的Al摩尔组分。掠入射x射线反射谱的显著强度振荡与原子力显微镜所观察到的台阶流动形貌表明了平整的界面和表面的存在。研究发现,低Al组分（x=0.25）且阱宽小的样品界面与表面粗糙度最小,通过原子力显微技术得到的表面粗糙度均方根偏差为0.45nm。