基于三层模型的多量子阱激光器调制特性的SPICE模拟

从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型 ,并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为 ,避开了传统方法中处处都要涉及到的体积参量 ,解释了传统的二层模型所不能解释的多量子阱 (MQW )激光器中多量子阱内载流子不均匀分布问题 ,用SPICE进行了调制特性的模拟及讨论。激光器件的模拟以层次性的方式实现 ,对使用EDA工具进行集成光学器件和系统仿真进行了探索。     

高亮度红色Ca1—xAlxAs／Ga1—yAlyAs发光二极管研究

研制成功了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／Ｇａ１－ｙＡｌｙＡｓ双异质结红色（６７０ｎｍ以光二级管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延，并改进了电极制作技术，取得很好的结果。     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器分析与实验

本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分析的基础上，研制了非对称大光腔（Ａ－ＬＯＣ）ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器，其未涂覆输出光功率达８５ｍＷ以上，这一结果与理论计算基本符合。     

GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究

本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作技术的改进，其正向电压降低于国外同类产品。     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性

本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分量子效率每面２５％；器件为基横模工作．     

高亮度红色发光二极管研究

报导了高亮度红色发光二极管的主要研究技术及初步结果。已研制成的红色发光二极管在正向电流为２０ｍＡ时，发光强度为４００ｍｃｄ。研究中采用了具有独创性的双层石墨舟液相外延技术，并改进了电极制作技术，使发光管的正向压降显著降低。