12位125MSPS 模数转换器总剂量效应研究

This paper presents the total ionizing dose test results at different biases and dose rates for AD9233, which is fabricated using a modern CMOS process. The experimental results show that the digital parts are more sensitive than the other parts. Power down is the worst-case bias, and this phenomenon is first found in the total ionizing dose effect of analog-to-digital converters. We also find that the AC as well as DC parameters are sensitive to the total ionizing dose at a high dose rate, whereas none of the parameters are sensitive at a low dose rate. The test facilities, results and analysis are presented in detail.     

半导体材料电子非电离能损的分析法计算

非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息.考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响.     

深亚微米NMOSFETs总剂量辐射与热载流子效应研究

本文对深亚微米器件的总剂量辐射与热载流子效应进行了对比试验研究。结果表明虽然总剂量与热载流子效应在损伤原理上存在相似的地方,但两种损伤的表现形式存在明显差异。总剂量辐射损伤主要增加了器件的关态泄漏电流,而热载流子损伤最显著的特点是跨导与输出特性曲线降低。分析认为,STI隔离区辐射感生氧化物正电荷形成的电流泄漏通道是造成总剂量辐射后电流增长的根源,而栅氧化层的氧化物负电荷与栅界面态的形成是造成热载流子退化的原因。因此,对二者进行加固时应侧重于不同的方面。     

炼厂热水余热回收

某炼油厂2 470t/h余热回收装置,一方面采用热交换技术使95℃热水降至70℃后作为冷却介质送往各装置循环使用;另一方面,将进本装置的低压95℃热水直接加压后作为加热介质使用,有效利用余热。此种余热回收方法既减少了工业用水的用量和空冷器的数量,又节约了投资,实现了节能降耗。     

超深亚微米部分耗尽SOI NMOSFET关态应力下前栅和背栅晶体管损伤研究

The hot-carrier effect charactenstic in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET is investigated. Obvious hot-carrier degradation is observed under off-state stress.The hot-carrier damage is supposed to be induced by the parasitic bipolar effects of a float SOI device.The back channel also suffers degradation from the hot carrier in the drain depletion region as well as the front channel.At low gate voltage,there is a hump in the sub-threshold curve of the back gate transistor,and it does not shift in the same way as the main transistor under stress.While under the same condition,there is a more severe hot-carrier effect with a shorter channel transistor. The reasons for those phenomena are discussed in detail.     

节约型企业机制为重

企业是社会的重要组成部分,是社会的缩影,建设节约型社会首先要加强节约型企业的建设工作。同时,崇尚节约也是企业持续健康发展的需要和企业不可推卸的责任。不断完善节约目标考核机制古人讲,“历览前贤国与家,成由勤俭败由奢”,“强本而节用,则天不能贫”。崇尚节俭,向来是中华民族的传统美德。企业作为产品的直接生产和制造者,在追求效益最大化目标的同时,更应将节俭办企业放在重要位置。首先要结合企业的生产实际,建立健全企业产品节约资源的标准,通过规范形式来倡导资源节约。日本瑞穗证券公司最近分析,目前中国每生产1美元产值需使用80…     

0.18 μm MOS差分对管总剂量失配效应研究

为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18 μm NMOS、PMOS差分对管,进行了⁶⁰Co γ总剂量辐射效应研究。研究结果表明：与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在：1) 辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加;2) NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大;3) 栅极电流辐照后稍有增加,失配随栅极电压的增加而增大。而PMOS差分对管在整个辐照过程中,无论是曲线还是参数均未出现明显变化,且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。     

应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计

电荷耦合器件(CCD)辐射效应测试系统需具备通用性。通常情况下需要为每一种CCD设计一款测试电路,无法满足通用性要求,通用性电路的难点在于不同CCD要求不同的驱动通道数、驱动时序、信号占空比及工作点。提出了一种适用于多种CCD的测试电路设计方法。以现场可编程门阵列(FPGA)负责时序发生、工作点调节及整个系统的控制,驱动模块采用工作点可调的模式,并结合电荷泵技术,仅需更改FPGA设计及给驱动模块提供不同的工作点电压,便可使以上驱动参数可调,实现测试电路的通用性。采用该方法进行测试还可以适应CCD辐照后工作点的变化。最后通过正确驱动TCD1209线阵CCD和4096×96型TDI-CCD,并对TDI-CCD总剂量辐照实验进行正确的参数测试,验证了通用测试电路设计方法的可行性。     

不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。     

一种高并发环境下交易日志连续输出的机制

本文提出了一种在高并发环境下交易日志连续输出的机制。该方法能够接受日志的并发无序提交,根据日志中交易的交易主键将日志进行逻辑划分,使得同一笔交易日志高度内聚,保证了日志的连续输出,大大提高了日志的可读性和友好性,减少甚至避免了日志分析中对日志的额外处理。