~(13)CO_2同位素激光器——激光雷达新光源

本文描述了~(13)CO_2同位素激光器的特性和它在激光雷达、激光驾束制导中的应用。报道了研制的稳频~(13)CO_2同位素激光器,输出单模、偏振,总共25条激光谱线,最大输出功率大于3W。     

硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算

对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法.实测数据与公式计算结果吻合较好.讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响.     

硅PIN光电探测器光电特性的模拟计算

采用计算机数值分析软件对硅PIN光电探测器的光电特性进行了研究;对硅PIN光电探测器的结构及电势分布作了详细讨论,同时讨论了其正向特性、反向特性和光敏特性.这对了解和改进器件特性有重要作用.     

极坐标二维位敏光电探测器的设计

设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标.该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用领域中.     

NH_3斯塔克效应调制同位素~(13)CO_2激光器的半经典理论和实验研究

本文从理论(激光半经典理论)和实验上研究了NH_3分子asQ (6,6)跃迁与同位素~(13)CO_2激光器R(18)支线的相互作用.利用密度矩阵近似,在随时间变化的斯塔克场作用下,在吸收线附近建立起用量子力学描述的多普勒线型吸收系数表示式和理论上     

1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长

本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采用阳极氧化处理,用InP、Sn合金熔液盖片保护衬底,减少衬底在加热过程申的热损伤等方法获得了高质量的外延片。用该外延片制作的1.3μm波长InGaAsP/InP(DC—PBH)激光器室温连续工作阈值电流最低达9mA,管芯单面输出功率最高达40mW,最高连续激射温度达115℃。     

电流限制性能好的双沟平面隐埋异质结激光器

本文报导新近研制的1.3μm InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC-PBH)激光器,在室温下测量阈值电流的最小值为15mA,最大输出功率可大于40mW,外部微分量子效率(单面输出)为35％。器件的温度性能好,特征温度T_0为70～80K,最高连续工作温度可达100℃