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本文对集成运放在电子技术应用中互阻抗放大技术进行了分析讨论,给出了相应的典型应用实例,具有重要的推广应用价值。 相似文献
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采用荧光光谱和喇曼散射谱对非对称Ⅱ一Ⅵ族耦合多量子阱Zn1-xCdxSe/ZaSe的结构进行了表征,并对它的非线性光学特性进行了研究。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰:在喇曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制光学模LO1(Lowe Well)和LOI(Wide Well),及对应于ZnSe/GaAs界面的声子和等离子体的耦合模。实验发现二次谐波信号的强度随着阱间耦合的增强而增强,说明非对称量子阱(AQW)的耦合效应存在一阈值.与理论结果相一致。 相似文献
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