谈地理教学与历史知识的联系

中学地理学科是一门综合性很强的学科，是自然科学和社会科学等多种知识综合的学科。中学地理教材中蕴含的历史知识比较多，地理课教学中如紧扣教学内容，挖掘地理课中的历史知识，有意穿插一些生动的历史知识教学，能培养学生学习地理的兴趣，促进地理知识的掌握。     

(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉的温度依赖特性研究

主要研究了Gd的掺杂浓度对(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉发射光谱的影响以及发光光谱的温度依赖特性。结果表明:室温(RT)时,随着Gd掺杂量从0增大到0.6mol,(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉发射光谱的峰值波长从530nm红移到550nm;环境温度升高时,(Y2.94-xGdxCe0.06)Al5O12荧光粉的发光强度呈快速衰减、发射光谱呈宽化趋势,且衰减速率及宽化趋势都随着Gd掺杂量的增加而加剧。采用位形坐标模型讨论认为,由于Gd3+的半径和电负性均大于Y3+,Gd3+取代Y3+后,导致发光中心的简并基态和激发态劈裂加剧,基态和第1激发态间的间距减小,激活能下降,发射光谱呈现红移现象。随着温度升高,电子和声子间的相互作用增强,非辐射跃迁增强,发光快速衰减,光谱宽化。利用发光强度、光谱宽度与温度关系公式解释了Gd掺杂量增加导致热衰减加剧、光谱宽化趋势愈加明显的现象。     

Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响

采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。     

Fluorescent emission characteristics of polycrystalline diamond film prepared by direct current jet CVD

The free-standing diamond films are deposited on molybdenum substrate by direct current jet chemical vapor deposition （DCJCVD）. X-ray diffraction, Raman spectroscopy and cathodoluminescence （CL） measurement are used to investigate the films structure and defects related to electron transition properties of the diamond films. The X-ray diffraction spectrum reveals that the diamond films have the polycrystalline cubic structure with diffraction peaks at 43.88° and 75.24°. A sharp peak at 1331.8 cm^-1 and a broad band at about 1250-1550 cm^-1 from Raman spectrum are attributed to diamond phase and sp2-type carbons, respectively. Two emission peaks at 440 nm and 530 nm, associated with dislocation defects and nitrogen and vacancy complexes respectively, are observed in cathodoluminescence spectrum. In addition, in order to understand both emission processes, a simple energy level scheme is suggested.     

Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响

采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。