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1.
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.  相似文献   
2.
本文根据国华太仓电厂7号发电机逆功率保护拒动情况,对发电机逆功率保护动作原理、拒动原因进行分析,并提出了运行人员应采取的应对措施,供配置同类型保护的电厂参考、借鉴,以避免汽轮机组的损坏和电网频率的波动。  相似文献   
3.
夏季高温、雷雨和台风等恶劣天气对港口生产有很大影响,特别是对装卸具有易燃、易爆、腐蚀性和毒害性的液化品提出了更严格的要求。夏季如何做好化工码头液化品装卸的安全管理工作成为港口安全工作首先考虑的问题。  相似文献   
4.
浆纱回潮率是浆纱工艺的重要指标之一,多年来都是凭操作工的经验由人工进行控制,因此很难达到工艺要求。由中国纺织大学和上海仪表变压器二厂联合研制的SDY-4型浆纱回潮率自动控制仪,可以把回潮率控制在工艺值左右,提高了产品质量,降低了烘燥能源,经工厂实际使用,取得了很好  相似文献   
5.
InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化.  相似文献   
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