高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a-b面内收缩，沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系，我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量；并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系，得到了与实验一致的理论结果。     

钨丝上原位加热生长的WO3-x纳米棒的结构与缺陷研究

WO3-x(x：0～1)是一种优良的光、电、气致色变半导体材料。本研究通过在电化学腐蚀的钨丝针尖上原位加热生长了一系列的样品，发现了一种新奇的WO3-x结构，电子衍射和高分辨研究证明其是一种非常有序的晶体丝织构行为。图1是生长WO3-x纳米棒特征的SEM图像，钨针尖上布满了垂直表面二     

LaAlO3单晶基片上制备Ba0．5Sr0．5TiO3薄膜的透射电镜研究

铁电钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3(BSTO)薄膜材料具有很好的可调性，在微电子工业有广阔的应用前景。本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001)LaAlO3单晶基片上外延生长了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。利用透射电子显微镜对薄膜的截面样品进行了微结构和界面行为的研究。     

六方层状钴氧化物中的层间阳离子有序及结构调制研究

六方结构的层状过渡金属化合物具有丰富的结构和物理现象,是近年来材料物理研究领域的一个热门课题[1~3]。层状过渡金属化合物的物理性能和晶体结构具有密切关联。例如,较大层间距的Na0·3CoO2·1·3H2O水合物为超导体[2];层间钠离子Z字形有序排列的Na0·5CoO2在50K附近发生电荷有序相变[3]。系统的结构研究对深入理解层状过渡金属化合物物理性能有着重要意义。在近期研究中,我们利用二价离子(Ca,Sr)替代Na,发现了丰富的物理和结构现象。图a~d为Sr0·35CoO2的电子衍射和高分辨图像。分析表明,Sr0·35CoO2中Sr在CoO2形成层间有序态…     

半导体Si（001）基片上制备的超薄SrTiO3薄膜的透射电镜及电子全息研究

随着半导体技术的发展，Si基体上生长的高介电常数的钙钛矿晶体氧化物薄膜如SrTiO3（STO）也受到了广泛关注。SrTiO3（a=0.3905nm）在沿Si（001）方向旋转45℃之后和Si（d=0.384nm）之间的点阵错配很小（-1.7%），同时也有各种晶体氧化物薄膜在Si基体上生长很好的缓冲材料。本文主要利用透射电子显微镜和电子全息技术对薄膜的截面样品进行了界面微结构的研究。     

银纳米线中五次孪晶结构的透射电镜研究

五次孪晶结构是一个典型的结构问题。过去人们深入研究了纳米团簇(颗粒)中的多重孪晶现象。但关于金属纳米线中的五次孪晶结构，特别是孪晶晶界和孪晶关系的问题尚有待深入研究。本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了透射电镜研究。     

Fe85Ga15合金的电子显微结构研究

磁致伸缩材料广泛应用于各种各样的传感器和伺服机构器件,Fe-Ga合金以其作为磁致伸缩材料的潜在应用前景已经引起研究人员的注意。Fe-Ga合金的磁致伸缩效应很强,归因于晶体中存在着Ga原子的不对称形状团簇,其导致的四方格子结构在Fe-Ga合金的磁致伸缩特性中起了关键的作用。     

双层锰酸盐La2-2x（Ca，Sr）1＋2xMn2O7系统中的电荷有序化研究

本文系统地分析了双层锰酸盐La2-2xCa1 2xMn2O7(0．5≤x≤1．0)与La2-2xSr1 2xMn2O7(0．45≤x≤0．60)的结构及物理性质。低温下，在0．6≤x≤0．75的样品中La2-2xCa1 2xMn2O7系统显示出电荷轨道有序化。温度低于160K时，在x=0．6的材料中观察到了因电荷有序态和铁磁态互相竞争而导致的微观     

(001)Si衬底上La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3外延生长薄膜的界面电子显微学研究

本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3（STO）和La0.9Sr0.1MnO3（LSMO）薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO,//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si^2＋和Si^0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中。     

MOVPE生长Hg1-xCdxTe薄膜的实验研究

采用金属有机化合物汽相外延法(MOVPE)和多层膜互扩散生长工艺(IMP)在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(211)薄膜样品,并对样品进行了傅利叶红外透射(FTIR)和范德堡Hall测量;通过对许多实验数据进行系统的对比分析,总结了薄膜的生长规律,并对这些生长规律作出了理论分析,阐释了薄膜的微观生长机制.