微尺度涡旋位错:宝石晶体又一重要的生长机制

采用原子力显微镜、干涉显微镜对水热法合成蓝宝石和天然绿柱石等宝石的表面微形貌进行了研究. 通过对宝石晶体中微尺度涡旋位错的表征和示踪, 初步证实涡旋位错是某些宝石矿物晶体又一重要的生长机制. 这暗示, 微尺度成矿流体的涡旋运移与晶相涡旋成核可能是地球成矿动力学体系中某些物质运动和存在的又一种重要的形式. 对晶体生长机理的研究现状和发展趋势予以了讨论.     

掺杂ZnO超快闪烁体单晶研究进展

近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描（TOF-PET）等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快（衰减时间小于1ns）闪烁体受到广泛关注。文章综述了ZnO基单晶闪烁体的发展。有文献报道,Ga³⁺、In³⁺、Sc³⁺和Fe³⁺等几种不同的n型掺杂ZnO单晶体已经被广泛用作极紫外、X-射线、α粒子等重离子的检测和成像。随着晶体生长技术的发展,提高了ZnO基闪烁体的性能,进而拓宽了其应用范围。上述ZnO材料促进了新一类超快半导体闪烁体的兴起。因此,ZnO基闪烁体的下一步的工作,主要是通过优化浓度和掺杂剂的种类,以提高光输出。     

桂林水热法合成黄色蓝宝石的宝石学特性研究

对新近生长的桂林水热法合成黄色蓝宝石的宝石学特征进行了初步研究，并对这种合成黄色蓝宝石晶体的生长形态和表面微形貌特征作了剖析，阐述了该合成宝石内部发育的各种内含物特征。指出在3500－2800cm^-1范围内，由OH或AI－OH伸缩振动致红外吸收光谱是鉴别该类合成宝石的重要依据。     

影响水热法红宝石晶体质量的几个因素

结合研究高质量水热法红宝石生产过程中的实际情况，对影响水热法红宝石晶体质量的因素进行了探讨。着重阐述了在改进高压釜的容积、籽晶取向、籽晶质量后，使红宝石晶体的生长速度、晶体质量获得明显提高的方法，对原料中的杂质、温度波动、晶体开裂等几个影响晶体质量的问题作了探索性的实验。     

水热法KTP倍频转换效率性能的研究

首次报道了水热法KTP倍频转换效率性能的研究,通过研究水热法KTP的电子显微镜照片,分析了水热法KTP内部的缺陷;通过理论和实验,研究了水热法KTP晶体的倍频转换效率,两者的高转换效率时的温度相同;通过选择合适的控制温度,在抽运功率为6.11W时,绿光输出为0.7W,继续加大抽运功率,输出绿光的增加幅度都在加大,此时的光-光转化效率是11.5%.     

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正~~     

影响水热法红宝石晶体质量的几个因素

结合研究高质量水热法红宝石生产过程中的实际情况,对影响水热法红宝石晶体质量的因素进行了探讨.着重阐述了在改进高压釜的容积、籽晶取向、籽晶质量后,使红宝石晶体的生长速度、晶体质量获得明显提高的方法,对原料中的杂质、温度波动、晶体开裂等几个影响晶体质量的问题作了探索性的实验.     

影响水热法KTP晶体的生长速度的因素

文章报道了以K2HPO4＋KH2PO4混合溶液作为矿化剂,研究了高压釜容积的大小、生长温度和温差、矿化剂浓度、矿化剂填充度等对水热法KTP晶体的生长速度的影响。研究结果表明：采用反应腔尺寸大的高压釜,在合适的生长温度和矿化剂浓度及溶液填充度的条件下,是获得高质量KTP晶体的有效途径。     

KTP晶体的水热法生长与形貌研究

以K2HPO4、KH2PO4、H2O2的混合水溶液为矿化剂,以熔盐法生长的KTP为培养料,采用水热法,生长出了尺寸为24mm×14mm×60mm(a×b×c)磷酸钛氧钾(KTP)晶体。分析了水热条件下KTP晶体的形貌和结晶习性,并对(100)面上出现高指数面的原因进行了研究。     

水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展

罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。