GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究

利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线．在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰．通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的存在．     

量子阱中δ掺杂的光谱特性

用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。     

InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰．研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV，发光具有二维特性．在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关．这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质．     

分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响

从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ0/2和λ0腔不同情况的最佳生长模式.     

经皮二尖瓣球囊成形术并发症的防治

目的探讨经皮二尖瓣球囊成形术(PBMV)并发症发生的原因及防治措施.方法回顾性分析1 311例PBMV中的42例并发症.结果并发症总发生率为3.2%(42/1 311),其中心房颤动0.8%(10/1 311),急性心包填塞0.31%(4/1 311),重度二尖瓣关闭不全0.46%(6/1 311),股动静脉瘘0.69%(9/1 311),急性肺水肿0.23%(3/1 311),医源性房间隔缺损0.23%(3/1 311),冠状动脉空气栓塞、下肢动脉血栓形成及一过性脑栓塞均为0.15%(各为2/1 311     

量子链和量子点光学特性的比较研究

比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点.     

GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响     

立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究

用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In     

立方相InCaN的稳态和瞬态我学特性研究

用光荧光和时间分辨光谱技术研究了ＭＥＢ生长立方Ｉｎ１－ｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．１５０．２６）外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明ＩｎＧａＮ发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为６０ｍｅＶ左右。荧光衰退呈现双指数特性,快过程（５０ｐｓ,１２Ｋ）是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程（２００￣２７０ｐｓ,１２Ｋ）则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局