辉光放电a-Si_(1-x)Ge_x:H的光电特性

改变 GDa-Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜中 Ge 的含量,可以获得1.8—0.9eV 的带隙能量范围。对于x>0.3的薄膜,准费米能级的位置接近带隙的中央,电导激活能随 x 值的增加而线性地减小。光敏感性(σ_p/σ_d)在 x 从0变化到1的整个范围内下降4个数量级。实验表明,选择合适的衬底温度(T_s=250～300℃)以及较低的射频功率可以得到质量较好的 a—Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜。     

非晶硅肖特基势垒太阳电池

α-Si太阳电池有多种形式。目前常见的有四种:ITo—α-Si异质结太阳电池;pin太阳电池;金—半肖特基势垒太阳电池和MIS太阳电池。其中肖特基势垒太阳电池的稳定性尚有一定问题,有待深入研究。但由于这种电池制造工艺比较简单,目前可用作分析α-Si材料光电特性的工具。 本文报道一种在不锈钢衬底上用α-Si制造的肖特基太阳电池的工艺方法、结构特点和电池参数。并对串联电阻的来源进行了讨论。     

无定型Si_(1-x)Ge_x∶H合金与迭层太阳电池

一、引言 无定型硅氢合金(a-Si:H)太阳电池,最近几年发展十分迅速。但是,由于a-Si:H的少子扩散长度比较小,n型材料的空穴迁移率不足1cm~2/V·s,相应的扩散长度仅为十分之几微米,这就限制了电池的收集效率。要解决这一矛盾,提高电池效率,主要途径有两个:一是改善材料的性质,增加少子的扩散长度,然而非晶半导体材料有其本身的局限性;二是从器     

太阳电池新材料a-SiSn:(Cl,H)的研制

本文报道了以SnCl_4为源a-SiSn:(Cl,H)的研制工作。该材料中Cl含量可通过改变衬底温度和射频功率调节,不显著地影响Sn的比例。掺入较小量的Sn可获得光学带隙较窄的材料,有利于减小材料的无序程度。     

无定形锗硅合金的光电特性

用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子百分比从0增加到66％时,合金膜室温暗电导率从10~(-10)Q~(-1)cm~(-1)单调上升到10~(-4)Q~(-1)·cm~(-1);电导激活能却从0.84eV单调下降到0.40eV. 用XPS 谱测量合金组分证明锗的溅射速率是硅的1.5倍.测量了光子能量为1.2eV时的吸收系数,结果表明,a-Si(1-x)Ge_x:H比a-Si:H有较多的悬挂键.这些悬挂键在较高氢分压下可部分被饱和.     

H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用

在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出的a-SiTFT矩阵，其性能得到明显改善．     

非晶硅p-i-n太阳电池

本文报道了p-i-n太阳电池的研制结果。以不锈钢为衬底材料,研制了9mm~2、1.3cm~2、2.5cm~2、9cm~2及25cm~2五种不同面积的电池。在不加减反射膜的情况下,各单项指标的最佳值分别是:V_(oc)=770mV,j_(sc)=8.7mA/cm~2,FF=0.42,η=2.7％。     

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。     

p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析

本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.     

掺氧非晶硅的光学带隙和光电导光谱响应

GD非晶硅中氧的掺杂对材料的光电特性有重要的影响。我们测量了a-Si:H和a-Si:H:O的光学带隙和光电导光谱响应,发现掺氧将会使光学带隙有所增加。光电导光谱响应测量表明,掺氧后的非晶硅,较之同样条件下未掺氧的样品,光电导光谱响应的峰值更加接近太阳光谱的峰值,光电导光谱响应半宽度有所增加。此外,在长波限以外,当所用光子能量大于E_B—E_F时,仍测得了微弱的光电导,这可能与带隙态中低于E_F的局域态有关。