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EOC技术在台州广电网络的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍HFC网络双向改造中的EOC技术背景、现状,对主要的EOC技术进行比较,分析各自适用的网络环境。最后介绍HomePlug AV技术方案在台州广电网络中的应用情况和注意事项。 相似文献
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ZnO/GaN/Al2O3的X射线双晶衍射研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,以GaN/Al2O3为衬底采用常压MOCVD技术生长了高质量的ZnO单晶膜。用X射线双晶衍射技术测得其对称衍射(0002)面ω扫描半峰宽(FWHM)为404arcsec,表明所生长的ZnO膜具有相当一致的C轴取向;其对称衍射(0004)面ω-20扫描半峰宽为358arcsec,表明所生长的ZnO单晶膜性能良好;同时,该ZnO薄膜的非对称衍射(1012↑-)面ω扫描半峰宽为420arcsec,表明所生长的ZnO膜的位错密度为10^8cm^-2,与具有器件质量的GaN材料相当。 相似文献
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退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响 总被引:8,自引:3,他引:5
采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面. 相似文献
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在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中,观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象.经研究证实,这是由于Kα2线参与衍射引起的.通过计算Kα1和Kα2线在不同晶面衍射的分离角并与实验现象对比,阐明了GaN样品(102)半峰宽比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因.在此基础上,进一步分析了在使用不同参考晶体的双晶衍射系统中,GaN和ZnO的各晶面被X射线色散展宽的情况,并提出,在使用Si,Ge或GaAs的(220)面为参考晶面的双晶衍射仪中,GaN和ZnO的(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应的影响小;而在使用Si,Ge或GaAs的(004)面为参考晶面的双晶衍射系统中,(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应影响较大,此时(004)和(103)受色散影响小,因此用来表征晶体质量将更可靠. 相似文献
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采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面. 相似文献
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色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中,观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象.经研究证实,这是由于Kα2线参与衍射引起的.通过计算Kα1和Kα2线在不同晶面衍射的分离角并与实验现象对比,阐明了GaN样品(102)半峰宽比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因.在此基础上,进一步分析了在使用不同参考晶体的双晶衍射系统中,GaN和ZnO的各晶面被X射线色散展宽的情况,并提出,在使用Si,Ge或GaAs的(220)面为参考晶面的双晶衍射仪中,GaN和ZnO的(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应的影响小;而在使用Si,Ge或GaAs的(004)面为参考晶面的双晶衍射系统中,(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应影响较大,此时(004)和(103)受色散影响小,因此用来表征晶体质量将更可靠. 相似文献
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