基于闪存的大容量存储阵列

大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和灵活性一直是星上记录设备信息存储技术的主要研究内容和追求目标。文中研究并实现了一种基于NAND型Flash的高速大容量固态存储系统,成果为实际研制应用于星的基于闪存的大容量存储器奠定了基础,具体较好的指导和借鉴意义。     

基于Virtex-4的DCM动态重配置设计

介绍了Xilinx FPGA中DCM的结构和相关特性,提出了一种基于Xilinx FPGA的DCM动态重配置的原理方法,并给出了一个具体的实现系统。系统仅通过外部和Xilinx XC4VFX100相连的少数控制线,就可以在输入100 MHz时钟源的条件下,对DCM进行50～300 MHz范围内准确、快速地变频。本设计系统具有接口简单、实时性强、稳定性高等特点,目前已成功应用到某星载系统中。     

基于FPGA和NAND Flash的存储器ECC设计与实现

针对以NAND Flash为存储介质的高速大容量固态存储器,在存储功能实现的过程中可能出现的错“位”现象,在存储器的核心控制芯片,即Xilinx公司Virtex-4系列FPGA XC4VLX80中,设计和实现了用于对存储数据进行纠错的ECC算法模块。在数据存入和读出过程中,分别对其进行ECC编码,通过对两次生成的校验码比较,对发生错误的数据位进行定位和纠正,纠错能力为1 bit/4 kB。ECC算法具有纠错能力强、占用资源少、运行速度快等优点。该设计已应用于某星载存储系统中,为存储系统的可靠性提供了保证。     

g-C3N4量子点-TiO2/导电凹凸棒石复合材料的制备及其光催化性能

通过水热法在导电凹凸棒石(C-ATP)表面原位生长TiO₂纳米棒制得毛虫状结构的TiO₂/C-ATP复合材料，然后以TiO₂/C-ATP为载体，在TiO₂纳米棒表面进一步复合g-C₃N₄量子点(CNQD)成功制备了多级结构的CNQD-TiO₂/C-ATP异质结光催化材料。利用XRD、FTIR、SEM/TEM、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis-DRS)、荧光发射光谱(PL)、BET比表面积分析仪和光电化学等技术对样品进行表征。在可见光照射下，考察了样品对盐酸四环素(TC)的光催化降解能力。结果表明:与TiO₂/C-ATP和CNQD相比，CNQD-TiO₂/C-ATP大幅提高了可见光响应、吸收能力和光生电子-空穴对的分离效率。当光照时间为120 min时，CNQD-TiO₂/C-ATP对TC去除率可达88%。      

CdS修饰TiO2棒阵列/导电云母复合材料及其光阴极保护性能

通过水热法,TiO2纳米棒生长在片状导电云母核体表面成功合成了TiO2纳米棒/导电云母复合材料(TiO2 NRA/C-mica).为提高TiO2 NRA的光响应能力,通过溶液浸渍法在TiO2 NRA上负载硫化镉纳米粒子(CdS NPs)制备出CdS修饰TiO2 NRA/C-mica复合材料.通过XRD,SEM,UV-Vis,PL和光电化学等技术对所制得的复合材料进行表征.结果表明,CdS NP均匀负载于TiO2 NRA上形成了异质结构,有效拓宽了TiO2 NRA/C-mica的可见光响应范围和光生电子-空穴的分离效率;CdS NP(8)/TiO2 NRA/C-mica具有较佳的光电化学性能.与TiO2 NRA/C-mica相比,CdS NP(8)/TiO2 NRA/C-mica复合材料的光电流密度提高0.9倍,电位降高出300 mV(vs.SCE),对304不锈钢具有优异的光阴极保护性能和防腐效果.     

基于VDK的嵌入式文件系统实现

针对实验室开发的基于Nand Flash的高速、大容量存储系统,阐述了利用BF537及其集成开发环境Visual DSP++的内核VDK,实现嵌入式文件系统的具体方案。同时简要介绍了通过虚拟地址映射和坏块标记的方法,来管理Nand Flash芯片中的坏块,以此实现文件系统的地址传输。