碲镉汞光导器件与材料的对应关系

本文通过3～5μm多元光导器件的制备和实验,探讨了器件平均电阻R_D与材料电阻率ρ的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和研究。1.前言器件阻值影响到表征器件优劣的重要参数——探测率D。我们在制备3～5μm碲镉汞(以下简称CMT)12元光导器件的实践中,发现用固态再结晶N型CMT材料制成的器件,平均电阻R_D与材料电阻率ρ有对应关系的往往有较好的性能。而70%以上的器件,     

77K超导红外探测器在北京国际高温超导会议上参展

昆明物理研究所1989年8月用本所研制的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜试制的两支在77K使用的超导红外探测器,在1989年9月5日—8日的北京国际高温超导会议上展出。自1987年高温超导材料出现以来,在我国,77K超导红外探测器是继77K Squid之后出现的又一个初期开发应用器件。器件的核心元件——微桥或蛇形芯片安装在带KRS-5窗口     

Y-Ba-Cu氧化物的超导电性

本文介绍了在不同工艺条件下制备出比较稳定、重复性好的Y-Ba-Cu氧化物超导体,在液氮温区观察到了零电阻和迈斯纳效应。经R—T和X—T测量表明,多数样品超导起始转变温度T_(onset)>110K,零电阻温度T_(?)≥90K,中点转变温度Tc(mid)可达96K,温度转交宽度△T_(?)(90％～10％值)一般为1～4K。用水、乙醇、丙酮、甲苯等浸泡以及用盐酸、硝酸、CP_(4B)等溶液腐蚀样品后,经R—T测试,结果表明样品在液氮温区没有失去超导性。     

碲镉汞器件与材料关系探讨

本文通过多元光导器件制备实践和专题实验,考察了器件平均电阻R_D与材料电阻率p的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和讨论。     

我国超导电子学进展

本文着重介绍我国超导电子学在几个重要领域里的发展现状,并对超导电子器件的制备、基础理论研究以及应用中的相关技术扼要地作了介绍。以向对我国超导电子应用技术感兴趣的人们提供参考。     

8—14微米碲镉汞光伏探测器V—1特性的测量分析和讨论

本文着重介绍在77K下测试MCT光伏探测器V—Ⅰ特性的几种方法,可测十三个基本参数,并观察到一些V—Ⅰ特性的反常现象,通过参数和现象进行一些分析和讨论。     

碲镉汞扩散结探测器探测率极限的讨论

一、引言本文讨论汞扩散结的CMT探测器,以I—V参数为基础,再根据C—V特性分析说明汞扩散p—n结既非突变结又非缓变结。CMT扩散结的结深非浅结。一般为十几到几十微米,少数也有深达近百微米的。对于这样的结采用缓变结模式进行近似计算较为合适。但几乎所有C—V特性测量表     

发展中的超导电子技术

着重介绍了超导电子技术在几个主要方面的应用：１弱磁弱电测量，特别是超导量子干涉器件的各类应用；２红外－毫米波探测，超导器件填补了亚毫米波的空白，架通了红外与微波的桥梁；３计量标准，超导技术在计量科学中的优越性已举世公认；４超导计算机把人类智能推到更高的境界。文中兼带评述了高温超导电子器件的发展前景，高温超导电性给超导电子技术注入了新的生命力。     

高温超导红外探测器的研制

采用高温超导薄膜YBaCuO和GdBaCuO研制超导红外探测器。将超导膜通过光刻湿法腐蚀成形后,用剥离技术制备金电极并合金化,热压焊接4根引线,超导芯片安装在抽空窗口为KRS-5的红外探测器杜瓦瓶中。77K超导红外探测器的测试性能为:NEP_(min)=1.6×1~(-9)W/Hz~(1/2),D_(bbmax)~*=4.15×10~7cmHz~(1/2)/W,R_(max)(500K)=136V/W,τ_(min)=8.8ms,λ_p=13.6μm。对超导器件的稳定性考察得出:微桥寿命最短,长桥次之,蛇形较长。一支蛇形器件经过数十次的冷热循环和电测试,寿命已超过5个月。     

碲镉汞光导探测器与材料性能关系探讨

本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/