半导体激光器列阵有源区电场随电流变化的定点测量

采用连续波电光检测法，对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器列阵有源区进行定点测量，实验结果反映了发光区内及发光区外电场随电流变化的不同规律。文中对实验结果给出了合理解释。     

电光取样技术在ps级超短电脉冲测量和GHz高频电信号测量中的应用

对ps级超短电脉冲测量而言,电光取样是目前最准确、最有效的方法之一。本文介绍了电光取样的基本测量原理及实验途径,对测量的误差因素进行了分析。电光取样对由电光晶体如GaAs、LiNbO_3等制成的光电器件的瞬态响应测量具有特殊优点。本文着重对GaAs集成电路的瞬态测量原理和方法及误差因素进行了介绍。电光取样基于谐波混频原理对GaAs高频场分布的测量也十分有效。     

GaAs／AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究

采用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）测量ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨ激光器及其列阵在不同部位的电场分布，研究了这两种器件的注入电流及电力线分布情况     

AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量

本文介绍了连续波电光检测法(CWEOP—continuous wave electro-optic probing)应用于AlGaAs/GaAs异质结构材料均匀性测量的原理、实验装置和实验结果。扫描电子显微镜电压衬度技术也用于观察测量样片,比较两者的结果发现有较好的对照。最后,讨论了实验结果,并对方法的应用作了展望。     

连续波电光检测法用于检测超薄层异质结外延材料均匀性的研究

本文以连续波电光检测法（CWEOP）为基本原理，设计完成了自动电光检测系统，并采用锁相放大技术，对超薄层异质结外延材料进行了电场分布的测试，由此对其均匀性进行了评估．通过实验探讨了超薄层异质结外延材料2DEG分布不均匀的电光检测标准、最佳测试条件等，并对影响测量结果的因素进行了分析．本方法的突出优点是能够无损地对超薄层异质结外延材料不均匀的2DEG进行定位．     

新颖光电子集成技术——异质半导体直接键合及其在器件研制中的应用

对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术－异质半导体直接键合技术的工艺和特点及其对新型光电子器件发展的推动。     

深化企业改革 调整企业结构

一、企业改革的回顾1984年以来,建材企业的改革有了以下五个方面的进展。(一)通过放权让利,增强了大中型企业的活力。原来由国家和部门掌握的55种产品计划权和资源分配权,1985年下放了41种,到1987年仅剩7种;将统一由局定价的30种产品下放了17种;提高了固定资产折旧率;逐步减少了指令性计划,使建材企业,特别是大中型企业增强了活力。(二)通过企业承包经营,促进了全民所     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．