非晶硅太阳电池的正向注入电流检测磁共振研究

本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表明该效应有比PDMR更高的灵敏度,可用于非晶及晶体势垒器件的例行检测。     

蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷

我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10~(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前者是硅悬挂键,后者为非晶硅价态尾态共振。实验证实该磁共振信号来自于Si/Al_2O_3界面。     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．     

碳在GaN中的形态

氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一．浅杂质（包括Ｐ型和ｎ型的）离子注入ＧａＮ是研究 ＧａＮ的主要课题之一．本文研究注碳（Ｃ） ＧａＮ经不同温度退火后的Ｒａｍａｎ和 Ｈａｌｌ效应,发现两个重要的实验事实：在适当的温度范围内,在注 Ｃ ＧａＮ中存在石墨微晶; ＧａＮ中分离的Ｃ是受主． 文中所用样品的制作过程是在（０００１）晶向的蓝宝石衬底上用金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术生长的１ｕｍ ＧａＮ外延层,外延层的自由电子浓度和霍尔迁移率分别为 １～５×１０１７ｃｍ－３和 ６０…     

内含镝、钕原子的富勒碳-82的三阶非线性光学特性

１９８５年Ｋｒｏｔｏ等人在由激光烧蚀石墨产生的分子簇中发现了由６０个碳原子组成的碳分子，它具有足球状的空笼结构，被命名为ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ富勒碳一６０），随后又发现空笼内含有金属原子（离子）的富勒碳（Ｍ＠Ｃ。０）及含更多碳原子的高富勒碳分子，它们具有共轭的。电子及量子点特性，理论上预期它有很大的非线性系数，因而受到广泛的重视与研究，但内含稀土原子的富勒碳样品制备不易，至今研究不多．本文重点报导内含ｏｙ及Ｎｄ的富勒碳８２（Ｄｙ＠Ｃ８２，Ｎｄ＠Ｃ８２）的三阶非线性光学特性研究．Ｄｙ＠Ｃ８２及Ｎｄ＠Ｃ…     

蓝宝石上硅膜（SOS）肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si／A…

我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一种向同性非结称的磁共振谱，经拟合它由线宽１０＾－＾３Ｔ，ｇ值分别为２．００５５及２．０１２的二线组合而成，二线强度比３．７：１。前是硅悬挂键，后为非晶硅价态态共振。实验证该磁共振信号来自于Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３界面。     

恒温电容瞬态时间乘积谱

传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.     

高炉锰渣三步法制取电炉金属锰生产实践

介绍了利用高炉锰渣/精炼渣三步法试制电炉金属锰的生产实践，即在高炉/精炼炉正常生产高碳锰铁/中低碳锰铁的基础上，高炉渣保温、摇包生产低微碳锰硅合金；精炼渣分屉出渣摇包生产电炉金属锰。通过选择合适的渣型和出渣温度、降低高炉渣含碳量，控制精炼渣一屉中硅含量，提高摇速等技术措施，改善了硅的利用率，从而使产品试制获得成功。