铜丝键合工艺研究

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。     

集成电路封装溢料问题探讨

溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。     

铜丝键合工艺研究

讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。     

铜丝键合工艺研究

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。本文首先讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。     

内部网络安全与防范浅析

对内部网络安全威胁的认识，直接关系到所采取的安全防范策略措施。要制定内部网络安全防范措施，必须首先搞清内部网络安全的威胁因素，才能做到对症下药。必要的防范手段是保证信息安全的前提；本文不仅论述了各种网络防护技术，而且提出了网络防护的主要技术策略和措施，以及必要的防范制度。只有通过制度防范和技术防范互为补充，才能有效的保障网络的安全性。     

镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响

采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻,在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现,在氧浓度≤0.1%的氮气保护环境中,经过180℃烘烤60 min后,裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60 min后的氧化程度;镀铜层能有效提高裸铜框架在100~180℃范围内的抗氧化能力,镀铜层较厚(1.0μm)的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄(0.5μm)的裸铜框架的抗氧化能力。     

化合物半导体特性及封装工艺控制

当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材料差异与性能优缺点、应用领域和发展前景。从环保安全、工艺应用、工艺控制、封装材料选用等方面总结了化合物半导体封装工艺控制的关键要求。