单晶硅太阳电池的表面织构化

一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也很低。通过SEM观察发现 :开始时 ,随着腐蚀时间的增加 ,金字塔的密度越来越大 ,最后达到饱和 ;而且对于不同的浓度 ,温度 ,这种饱和时间不同 ;如果腐蚀时间过长 ,金字塔的顶部就会发生崩塌 ,从而导致表面发射率的升高。虽然异丙醇 (IPA)在氢氧化钠 (NaOH)溶液中会明显地改善织构化的效果 ,但是在磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液中却会对织构化有很强的负面效应。最后 ,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入地探讨并认为 :择优腐蚀是金字塔形成的最基本的原因 ,而缺陷、PO3 -4 或HPO2 -4 和异丙醇等仅仅是促进大金字塔形成的原因。这种腐蚀剂的成本很低 ,不易污染工作环境且可重复性好 ,所以有可能用于大规模生产。     

太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀的研究

主要通过单步退火与二步退火的方法,借助于红外光谱仪,扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀性质,发现太阳电池用直拉硅单晶氧沉淀的过程不同于微电子用直拉硅单晶,尽管碳浓度很高,经过单步退火处理没有氧沉淀生成,这被认为由于晶体生长速率快等原因,太阳能用硅单晶的原生氧沉淀很少,氧沉淀缺乏原始核心的缘故,而经过750℃预退火。生成氧沉淀核心,太阳能用硅单晶中也有大量的氧沉淀产生,研究表明,如果太阳电池工艺中硅片仅经800-1100℃的单步热处理,太阳能用直拉硅单晶中的氧可能对太阳电池的效率没有影响。     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上, 首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究

本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分布陡峭的薄外延层     

纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带

用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜,发现其激发谱分别在２４６ ｎｍ 及５０６ ｎｍ 附近有极大值。当激发波长在５０６ ｎｍ 附近时,观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约０ ．０５ ｅＶ 的发光带,远小于２５０ ｎｍ 激发时的发射光谱的宽度（ 约０ ．５０ ｅＶ） 。此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化,分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点,而短波长（２５０ ｎｍ） 光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.     

Na掺杂P型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.