六自由度摇摆台检测方案设计

针对六自由度摇摆台的定位精度检测问题,设计了一套基于激光跟踪法的检测系统,实现六自由度摇摆台静态线位移与角位移指标的检测。根据六自由度摇摆台的运动姿态及高精度、大范围的运动特性,提出了一种基于激光跟踪法、包含绝对测距法的总体检测方案,并根据检测方案与检测原理运用激光跟踪仪作为检测仪器。然后对检测系统进行误差分析,得出了检测系统误差的最大值为10.27μm。最后对六自由度摇摆台技术指标进行检测,实验结果验证了检测系统的可行性。     

铜铟镓硒薄膜太阳电池

当今全球光伏市场是以晶体硅太阳电池为主，约占95％队上，电池产量近几年连续增长高于30％，随着市场需求还会有更快地增长。虽然光伏市场需求拉动了晶体硅电池产业和硅原料产业发展，但产业达到一定规模时，高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受，也必将制约着光伏产业更大规模的发展。     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜，研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响．增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS，反之则易于生成六方晶CdS．无论立方相还是六方相CdS薄膜，电阻率均在10~4～10~5Ω·cm范围，结晶均匀细致．用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%．     

可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用

用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层.通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制.实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响.交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9.     

CIGS薄膜太阳电池(上)

详细介绍了CIGS薄膜太阳电池的结构和工作原理,系统叙述了不同制备方法的特点与工艺流程,以及最新技术进展与未来展望,并简单介绍了国内CIGS薄膜太阳电池的研究状况.     

首饰加工行计量器具检定要加强

最近我们对辽源市２５家金银首饰加工行使用的天平、砝码等计量器具进行了检查 ,发现计量器具的使用普遍存在 :计量意识较差 ,管理混乱 ;使用的计量器具准确度等级较低 ;计量器具未经计量检定 ,大部分存在负偏差 ,人为少量的情况较多。因此 ,笔者建议 :１ 加强对金银首饰加工改制业计量器具的管理。在用计量器具统一登记备案 ,对业主进行《计量法》等有关法律、法规的宣传教育 ,提高其计量法律、法规意识。帮助他们掌握正确的计量器具操作方法。对使用的天平、砝码进行定期检定 ,检定合格后方可使用。２ 提高所使用计量器具的准确度等级。建…     

In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究

(In,Ga)2Se3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能.实验就多源共蒸发制备In2Se3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究.分析讨论上述3种因素对In2Se3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响.发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In2Se3预制层是单一晶相的In2Se3,其x射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向.反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In2Se3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In2Se3(006)衍射峰为择优取向.     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.     

孪生对靶溅射ZnO∶Al薄膜的研究

采用对向孪生靶溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜可减少等离子体对基底薄膜轰击损伤,沉积速率与结晶程度高;不同气压溅射的ZAO薄膜,其透光率在波长小于700 nm时基本相同,在可见光范围内(400～700 nm),都大于80%.其中,在550 nm时的透过率大于90%;入射光大于700 nm时,ZAO较厚的薄膜对红外的吸收更多;溅射气压为2 Pa比1 Pa沉积速率低,但薄膜电子迁移率较大、电阻率低,更适合做CIS薄膜太阳电池窗口层或透明导电膜.     

CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究

CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.