1V,19GHz CMOS分频器设计

对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题.采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW.     

一种新的套筒式全差分跨导放大器设计

A novel fully differential telescopic operational transconductance amplifier （OTA） is proposed. An additional PMOS differential pair is introduced to improve the unit-gain bandwidth of the telescopic amplifier. At the same time, the slew rate is enhanced by the auxiliary slew rate boost circuits. The proposed OTA is designed in a 0.18 μm CMOS process. Simulation results show that there is a 49% improvement in the unit-gain bandwidth compared to that of a conventional OTA; moreover, the DC gain and the slew rate are also enhanced.     

一种低功耗LDO线性稳压器的设计

基于UMC40nm工艺,设计了一种为数字电路供电的LDO线性稳压器,输出电压为1.1V.该电路工作在大负载电流和小负载电流两种模式下.对LDO的基本原理进行了分析,详述了关键电路的设计,最后通过cadence spectre仿真验证了设计的可行性.低功耗模式下,静态电流可以低至3.75uA.全负 、载范围内,增益可达6...     

单片集成低通波数字滤波器

本文报告了采用硬件复用技术集成的波数字低通滤波器，其中所有的加、减法和乘法都在一个带超前进位链的ＡＬＵ单元上分时进行．采用全定制方式进行版图设计，并用３μｍＣＭＯＳ工艺（单层金属）进行流片，芯片面积为６．１２ｍｍ×５．２８ｍｍ，测试结果表明，该滤波器的通带纹波系数小于０．００００７ｄＢ，阻带衰减大于１１２ｄＢ．     

2.5 Gb/s SDH/SONET低阶支路处理器芯片设计

设计了2.5 6b/s SDH/SONET的低阶支路处理器芯片,单片实现STS-48/STM-16的低阶支路终结,包括低阶容器的通道监控,混合VT1.5/TU-11和VT2/TU-12容器的终结,V1/V2指针解释,虚级联数据的提取,开销字节的提取和处理,BIP-2检测,RDI/REI在发送方向的环回,VT/TU级的保护倒换等.采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺流片成功,电路规模约12.6万门.满足光纤通信传输要求,并成功用于光纤通信设备.     

曲率补偿的2.5 V参考电压源设计

设计了一种基于电流模式的低温度系数参考电压源,并采用具有不同温度系数的电阻来补偿三极管的基极-发射极电压的温度特性非线性,设计了2.5 V参考电压源.同时采用高精度的电流镜结构,来减小电路的非理想因素对参考源温度特性的影响.该电路通过0.5 μm CMOS混合信号工艺流片,测试结果表明,该方法有效地补偿了基极一发射极电压的非线性,在0～100℃具有1×10-5/℃的温度系数.     

基于SATA接口的RAID5编解码器芯片实现

设计了一个基于SATA接口的RAID5编解码控制器芯片,采用左对称奇偶校验技术,支持1个磁盘失效情况下的数据恢复.包括数据编码解码、校验生成、校验重建、SATA控制器接口和ARM接口等;支持3～8路独立通道的磁盘阵列和3.0 Gb/s的高速SATA数据传输,最大磁盘存储利用率达87.5%.采用TSMC 0.13μm工艺流片,芯片逻辑部分规模约6.8万门,可应用于各种存储管理系统.     

1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W.     

基于RAID-5的SATA磁盘阵列控制芯片设计

设计了一个基于RAID-5接口的多通道SATA磁盘阵列控制芯片.该芯片提供一个点到点的高速数据传输的接口,包括RAID-5接口控制器、SATA控制器以及ARM接口等,并具有多种传输模式,支持8路独立通道的磁盘阵列.该设计解决了SATA和RAID-5之间的高效协同处理问题,减少了多个磁盘阵列数据存取过程中处理器的参与程度,节约了处理器的资源,同时使RAID-5编解码器仅需使用最少的内存空间来存放中间数据,大大提高了RAID-5的并行处理能力和效率,充分发挥了RAID-5和SATA相结合的优势,其最高突发数据传输速率可达3 Gb/s.采用TSMC 0.13 μm工艺流片,芯片数字部分规模约86万门,可应用于各种存储管理系统.     

PDH到622Mb/sSDH/SONET映射芯片实现

 设计了PDH到622 Mb/s SDH/SONET的映射及逆映射芯片.集成了DS1/E1/J1成帧器、DS1/DS3复接电路和E1/E3复接电路,具有622 Mb/s和155 Mb/s的高速标准接口和3通道STM-1/STS-3分插复用总线接口,支持复用段1+1保护和UPSR环形网络拓扑结构.单片实现84通道DS1/J1或63通道E1到STM-1/STS-3的映射复用功能及多通道DS3/E3/STS-1到STM-4/STS-12的映射复用功能.支持点对点应用和环形应用,交换模式支持2016通道DS0/E0的应用.4颗芯片实现336通道DS1/J1或252通道E1到STM-4/STS-12的映射复用功能.采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺流片,芯片规模约600万门,700管脚 PGBA封装,满足光纤通信传输的要求,并成功用于光纤通信设备.