采用 DWA技术的多位Σ-Δ调制器的设计

设计一个内部采用2位量化器的二阶单环Σ‐Δ调制器．为解决反馈回路中多位DAC元件失配导致的信号谐波失真问题,该调制器采用了数据加权平均（Data Weighted Averaging ,DWA ）技术来提高多位DAC的线性度．Σ‐Δ调制器信号带宽为50 kHz ,过采样率（OSR）为64,采用MXIC公司的0．35μm混合信号CMOS工艺实现,工作电压为12 V ．后仿真结果显示,在电容随机失配5％的情况下,该调制器可以达到55．8 dB的信噪比（SNR）和60.4 dB的无杂散动态范围（SFDR）．打开DWA电路比关闭DWA电路的情况下,SNR和SFDR分别提高8 dB和13 dB ．整个调制器功耗为48 mW ,面积仅为0.6mm2．     

新重丰中子核素^239Pa的观测

以５０ＭｅＶ／ｕ丰中子炮弹＾１８Ｏ轰击天然铀靶，通过奇异的多核子转移反应产生了＾２３９Ｐａ用放射化学分离方法从复杂的反应产物中分离出Ｐａ活性，借助于＾２３９Ｐａ及其子体＾２３９Ｕ衰变的观察，鉴别了新重丰中子核素＾２３９Ｐａ，并测定其半期为１０６±３０ｍｉｎｌ同时，还发现了能量为５２２．０，５６２．０，６３８．５，６８１．０ｋｅＶ的＾２３９Ｐａ的四条衰变γ射线。     

重丰中子同位素237Th半衰期的测定

用60 MeV/u 18O离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子同位素237Th.使用改进的相对快的分离钍的放射化学流程,从大量铀和复杂反应产物混合物中分离钍,用高纯锗(HPGe)探测器联同多道分析器对化学分离的钍样品做离线γ射线谱学研究,通过对237Th子体237Pa(半衰期8.7 min)的853.7 keV γ射线的生长-衰变曲线的分析,确定237Th的半衰期为4.69±0.60 min.     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用60MeV/u     

在NH4F介质中电沉积^233Pa源

介绍了在ＮＨ４Ｆ介质中制备薄而均匀的＾２３３Ｐａ镀层的实验方法。对＾２３３Ｐａ电沉积的主要影响因素（电流密度、搅拌速度、电镀时间和溶液的ｐＨ等）进行了实验，得到了在不锈钢片上电沉积厚度为１ｍｇ／ｃｍ＾２的＾２８３Ｐａ源。同时观察了用不同阴极材料对电沉积＾２３３Ｐａ源厚度及电沉积效率的影响，提出了在不锈钢片上制备＾２３３Ｐａ源的工艺流程。     

新重丰中子核素^237Th的合成与鉴别

用（ｎ，２ｐ）反应和快速化学分离方法以及根据母子体衰变关系首次合成和鉴别了新重丰中子核素２３７Ｔｈ，测定其半衰期为（５．０±０．９）ｍｉｎ。提出了一个从大量铀及干扰裂变产物中分离痕量钍的快速化学分离程序，并成功地用于新重丰中子核素２３７Ｔｈ的合成和鉴别。     

PETP固体径迹探测器的性能研究

报道了惭烯对苯二酸醌固体核径迹探测器对裂变碎片记录性能的实验研究。在改变温度、蚀刻时间和蚀刻液浓度等条件下测量了裂变碎片迷平均直径的变化。实验结果表明：蚀綮 变化对裂变碎片径迹的影响最大，而浓度和蚀刻的影响不大。同时用低能＾１６Ｏ重离子辐照ＰＥＴＰ探测器，并得到了它的标定曲线。     

化学工程技术在化工生产中的应用

在目前的化工生产中,为能够使生产效益得以有效提升,需要对各种科学技术进行应用,而应用化学工程技术就是其中比较重要的一种,在化工生产中发挥着十分重要的价值及意义,因而需要实现应用化学工程技术的科学合理应用,以满足实际需求。基于此,本文主要针对化工生产中应用化学工程技术的应用进行分析,从而使应用化学工程技术的应用具有更好的依据及支持,实现更理想的化工生产。     

展会作用及企业参展策略分析

充分认清展会的作用，采取正确的策略，全面系统地做好各个环节的工作，充分发挥低成本的营销中介体的作用，是办好展会的正确方法。针对以上内容进行了较为详实的阐述。     

高精度电容式MEMS加速度计系统设计

在传统Σ-Δ架构基础上,引入了低精度高速模/数转换器(ADC),将前置放大器输出的模拟电压信号转换为数字信号,有利于简化电容式微电子机械系统(MEMS)加速度计系统模拟接口电路设计.在嵌入ADC的MEMS加速度系统中,采用过采样平均数字算法对信号进行估计,有效降低系统对前置放大器噪声性能的需求,利于实现低功耗和高精度的设计目标.仿真结果表明:与未采用过采样平均技术相比,当前置放大器输出等效噪声大于1μV/Hz时,系统的信噪比(SNR)提高了约10dB.