浅谈沟通在思想政治工作中的重要作用

在全面建设小康社会,加快推进社会主义现代化的新阶段,伴随着改革开放的不断深入,人们思想活动的独立性、选择性、多变性、差异性明显增强,传统的思想政治工作方法有许多方面已不适应这种变化。本文立足当前思想政治工作实际,对沟通在思想政治工作中的重要作用进行分析,并提出了如何进行有效沟通。     

多孔氧化铝模板组装纳米消光材料

利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板,并在该模板中合成Cu纳米线。测量样品的透射光谱和偏振光谱,实验发现:这种多孔铝模板在近红外光区的透射率达到90%,可以作为近红外偏振器件的模板;含金属Cu纳米线的多孔铝膜在近红外光区具有较高的透射率和较好的偏振性能,实验中得到了样品在此区间的消光比为26dB。     

分枝铜纳米线的近红外偏光特性

利用2次阳极氧化法制备了具有分枝结构的多孔铝模板,并在该模板中合成了Cu纳米线.多孔铝模板的上下表面和复合结构的侧面SEM形貌表明,我们制备出了具有分枝结构的多孔铝模板以及Y形分枝状Cu纳米线.测量了样品的透射光谱和偏振光谱,试验发现,具有分枝结构的多孔铝模板在近红外光区的透射率达到了90%,可以作为近红外偏振器件的模板;含Y形分枝状Cu纳米线结构多孔铝膜在近红外光区具有较高的透射率和较好的偏振性能,本试验中得到了15～18 dB的消光比以及0.1～0.3 dB的低插入损耗.     

浅谈沟通在思想政治工作中的重要作用

在全面建设小康社会.加快推进社会主义现代化的新阶段.伴随着改革开放的不断深入,人们思想活动的独立性、选择性、多变性、差异性明显增强,传统的思想政治工作方法有许多方面已不适应这种变化.本文立足当前思想政治工作实际,对沟通在思想政治工作中的重要作用进行分析,并提出了如何进行有效沟通.     

用脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜的结构及光致发光特性

在从室温到800℃的温度范围内,用脉冲激光沉积方法在Al₂O₃（0001）衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪分别研究了衬底温度对ZnO薄膜表面形貌、结晶质量和光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜的结果表明,当衬底温度从室温升高到400℃时,ZnO薄膜的结构及结晶质量逐渐提高,而当衬底温度超过400℃时,其结构和结晶质量变差;在400℃下生长的ZnO薄膜具有最佳的表面形貌和结晶质量。室温光致发光的测量结果表明,400℃下生长的ZnO薄膜的紫外发光强度最强,且发光波长最短（386 nm）。     

溶液浓度对ZnO纳米棒形貌和发光的影响

为了获取高质量、高取向排列规则的ZnO纳米棒,玻璃衬底预先用脉冲激光沉积方法制备一层ZnO薄膜作为籽晶层,应用水热法在玻璃衬底上生长ZnO纳米棒。探究了籽晶层及不同溶液浓度对ZnO纳米棒结构和发光的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪测量样品的形貌和结构,用组建的光致发光测试系统对样品的室温光致发光光谱进行测定。结果表明,ZnO纳米棒具有高度取向且分布致密均匀;光致发光光谱显示ZnO的近带边发射比深能级发光略低;随着溶液浓度的增加,近带边发光和深能级发光相对强度的比值依次降低。     

ZnS/PS体系的结构和发光特性

用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/Ps复合体系的结构和发光特性.X射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnS薄膜的生长具有高度择优取向,在28.5°附近有一很强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向.扫描电子显微镜像(SEM)显示,ZnS薄膜表面很不平整并出现空洞,这是由于衬底PS的表面粗糙所致.ZnS/PS复合体系的光致发光(PL)谱的高斯拟合分峰表明,随着衬底孑L隙率的增大,在样品B和C的发光谱中,在光谱中间520 nm左右都出现了一个新的绿色发光峰,归因于ZnS的缺陷中心发光.位于480 nm附近的ZnS的蓝光和520 nm附近的ZnS的绿光以及位于600 nm处的PS的橙红光叠加在一起,整个znS/PS复合体系呈现出较强的白光.     

利用黄河淤泥废料开发烧结承重多孔砖的研究

本文主要介绍产品开发方面的研究,包括黄河淤泥作为烧结承重多孔砖原材料的材料性能研究、多孔砖的配料方案及产品成型研究、多孔砖产品的材料性能研究。这些研究为黄河淤泥烧结承重多孔砖在黄河沿岸地域替代黏土实心砖提供了技术支持。     

Optical properties of ZnO thin films grown on diamond-like carbon by pulsed laser deposition

ZnO/diamond-like carbon(DLC)thin films are deposited by pulsed laser deposition(PLD),and the room-temperature photoluminescence(PL)is investigated.Using a fluorescence spectrophotometer,we obtain the PL spectra of DLC/Si and ZnO/Si thin films deposited at different substrate temperatures.The ZnO/DLC thin films show a broadband emission almost containing the entire visible spectrum.The Gaussian fitting curves of PL spectra reveal that the visible emission of ZnO/DLC thin films consists of three peaks centered at 381 nm,526 nm and 682 nm,which are attributed to the radiative recombination of ZnO and DLC,respectively.The Commission International de l,Eclairage(CIE)1931(x,y)chromaticity space of ZnO/DLC thin films indicates that the visible PL spectrum is very close to the standard white-light region.