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IBM公司在纽约州的East Fishkill工厂生产出了一种高速、双极逻辑芯片,这是目前计算机工业所报导的一种密度最高的芯片。该芯片象征着芯片技术的一次突破。它包含了11000多个电路,密度相当于半导体工业中其它芯片的两倍以上。该芯片采用了四层金属布线,这在半导体工业上还是第一次,而一般都只用了两层或三层布线。由于采用四层金属布线,在相同的空间范围里,电路设计者能够塞进通常的两倍以上的电路。该芯片的设计和制造都是在IBM公司的East Fishkill半导体和封装工厂的现有生产线上进行的。 相似文献
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应用Van der pauw法测试了扩硼多晶硅层的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率,对多晶硅层的厚度、淀积、温度以及硼扩散的温度和时间对这些电学特性的影响进行了研究。发现合乎硅栅MOS器件要求的硼扩散条件是950℃半小时。在此条件下测得电阻率是1.2×10~(-3)Ωcm。当多晶硅层的厚度和淀积温度增加时,由于颗粒变大,霍尔迁移率也随着增大,在本实验范围内,测得霍尔迁移率的最大值是30厘米~2/伏·秒。对硼扩散与载流子浓度的关系用多晶硅——氧化物——单晶硅结构的简化模型进行了分析。发现载流子浓度是随着一个无量纲的变量1/L_P(=D_P~t/l_y~2)的增加而增加,并且由于硼在晶粒间界的沉淀而出现饱和,饱和时的载流子浓度大约是硼在单晶硅衬底中最大固溶度的百分之四十。 相似文献
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本文介绍了一种新型动态随机存取存储器单元,它将三个二极管合为一体,形成一种复合结构。在新型的3个二极管存储单元中,一个二极管用作存储电容,其余两个作为开关。该存储单元仅需三条互连线并且可以采用标准的双极工艺来制造。对该存储单元的写、读和等待操作进行了分析和模拟。 相似文献
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本文讨论了一种专门研制的抗辐照功率MOSFET中的瞬态γ诱发“二次击穿”问题,并给出了用中子辐照方法控制少数载流子寿命的实验结果。这种方法在降低“二次击穿”的敏感度方面只获得了部分成功。 相似文献
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本文讨论电力电子器件在未来电力系统中所起的作用。这一作用越来越重要,其主要原因便是电力半导体器件的改进。本文详尽地讨论了电力电子器件在高压直流输电方面的应用。 相似文献
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本文介绍一种由一层绝缘层隔离的两导电层间垂直互连的方法。该方法在对垂直通道墙壁实现完全的台阶覆盖方面和表面的平面化方面,具有目前采用方法所没有的优点。而且,这种方法很容易推广到互相绝缘的多个导电层间的互连。此外,当器件尺寸减小到一微米和亚微米水平时,使用这种平面化技术将改善器件的互连。这种方法肯定会在集成电子学方面得到应用,或许在集成光学和其它半导体器件方面也会得到应用。 相似文献
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本文分析了MOS开关器件中的电荷注入。这种分析已经推广到包括信号源阻抗和电容在内的一般情况。给出了注入沟道电荷的百分比通用曲线。为了使该曲线应用起来方便,采用归一化的变量。栅压下降效应,信号源电平效应、衬底掺杂效应、衬底偏置效应、开关尺寸效应以及能源和保持电容统统包括在这些曲线中。小尺寸开关、低的开关速率和小的源电阻可能降低电荷注入效应。发现带有一个单位增益运放的芯片上测试电路是一个开关电荷注入的很好的监视器,它能够将测量仪器所产生的干扰最大限度地减少。理论结果与实验数据相符。 相似文献
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本文详细地叙述了用 Si_2N_4/SiO_2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的快态密度以获得好的 l/f 噪声特性和采用砷离子注入获得的高的寄生场阈值电压。 相似文献
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