纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

基于ANSYS平台的自动扶梯裙板有限元分析

借助于ANSYS有限元分析软件．对自动扶梯裙板的强度及刚度进行了有限元数值分析。根据分析的结果，可对自动扶梯裙板结构的“组合刚度”进行相应的评价．同时对类似裙板部分装配结构的设计有参考作用。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

基于NCP门库的一维量子行走可逆逻辑电路

本文提出了基于NCP门库的一维量子行走可逆逻辑电路设计方案.根据一维量子行走的特点,电路被划分为投掷硬币和S操作两个部分;文章详细分析一维量子行走,对其行为数学建模,巧妙利用可控加减电路实现了S操作.目前对于量子行走算法的研究多数局限于数学理论和数理解析层面,在量子电路理论层面对量子行走算法的研究为数不多.本文利用原始递归给出了一维量子行走中每一步在量子电路理论层面上的数学表达式;提出的可逆逻辑电路描述了一维量子行走的最基本操作,并且将其使用模块化表示,使一维量子行走算法的研究从理论到实现上前进了一步.     

包钢3号高炉生产操作实践

1999年以来,包钢3号高炉以精料为基础,通过加强高炉操作和基础管理工作,使高炉技术经济指标得到逐步改善。2000年11月,3号高炉的利用系数为1．915,焦比为413．6kg／t,煤比为141.53kg／t。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

Clostridium acetobutylicum细胞的无机载体吸附固定化及其应用研究

为避免渗透汽化膜原位分离过程中丁醇生产菌对膜的污染,对无机载体吸附固定Clostridium acetobutylicum XY16进行了研究,考察了多种无机载体对菌体的固定效率及其发酵产丁醇性能的影响.研究发现:在静电引力的作用下,携带正电荷的沸石对荷负电的菌体具有良好的吸附作用.在此基础上,对沸石载体进行负载阳离子改性,沸石负载铁离子改变了载体表面Zeta电位,可增强对菌体的固定效率,并提高发酵性能.当培养基中葡萄糖浓度为60 g?L?1时,添加Fe3+-沸石18%(W/V)进行批式发酵,总溶剂的转化率为0.31 g?g?1,对菌体的固定效率达到87%,比未改性沸石提高了22%,丁醇产量为13.5 g?L?1,总溶剂可达20 g?L?1,比沸石改性前分别提高了8%和11.1%.对该材料固载的细胞进行4次重复批式发酵,总溶剂的基质得率与游离细胞批式发酵结果类似.以上研究结果表明Fe3+-沸石对Clostridium acetobutylicum XY16具有较好的细胞固定效率,并对其生产性能具有一定的促进作用,适宜作为丁醇生产菌的吸附载体.     

用工程法求解可膨胀管塑性变形力

应用塑性力学工程法研究了可膨胀管的塑性变形机理，推导出了计算可膨胀管塑性变形力的解析式，研究了各参数对变形力的影响规律；随后，将该方法的计算结果与用有限元方法的求解结果及实验结果进行了对比，结果表明该方法具有相当高的求解精度，能够满足工程的实际需要；同时，该方法简单明了，求解迅速，更便于在实际工程上推广应用。     

双向同轴光纤混合网介绍

双向同轴光纤混合 (HFC)网络是传统有线电视广播走向双向化的一种很好的实现方式。本文对其网络结构、工作频带划分、网络特点进行了介绍和分析。     

包钢炼铁厂3#高炉操作实践

包钢炼铁厂三高炉坚持以精料为基础，以稳定顺行为前提的方针，通过采取上下部调剂相结合，加强基础管理工作等措施，2000年11月份高炉利用系数达到1．915t/(m^3.d)。