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对x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,其R_H～1/T关系曲线可以定性确定材料的杂质或缺陷含量情况;定量的确定光导探测器的响应波长。在弱场下的R_H～B关系曲线可以确定材料的补偿情况,从而确定严格的测试条件与选取高性能的光导材料。 相似文献
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随着红外镶嵌探测器阵列的发展,采用各种外延生长技术来获取大面积高性能晶体薄膜是焦平面多元阵列发展的关键。在高响应率与快速响应探测器方面,HgCdTe材料具有独特品质。因此HgCdTe薄膜外延生长,特别是液相外延薄膜的研究已经成为非常引人注目的重要领域。国际上对半导体薄膜的研究表明,外延晶体薄膜性能的优劣,垫底材料的选择起着极重要的作用。第三届国际晶体生长会议的有关文 相似文献
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利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分布具有相对应的关系,利用Drude-Lorentz理论和电子有效质量与x值的关系,给予了初步的分析,它为选取适当ρ值范围提供了条件。选取低补偿的样品。验证了理论计算本征载流子浓度和霍耳测量值的一致性,这样便为通过简单的霍耳测量估算响应波长提供理论依据。 相似文献
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对于8～14微米Hg_(1-x)Cd_xTe晶体材料,已测量了4.2～300 K温度范围内的霍尔系数和电阻率,获得了载流子浓度和迁移率随温度变化的关系。在载流子浓度非完全简并的条件下,根据杂质饱和电离散射所确定的迁移率,计算了三个样品的补偿度。并且通过电中性方程验算了迁移率法计算补偿度的准确性。 相似文献
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由煤炭科学研究院唐山研究所研制,洛阳矿山机械制造厂和沈阳矿山机械制造厂制造的XMY340/1500-61型压滤机和GUD-30型无格折带式过滤机,在徐州矿务局庞庄矿洗煤厂进行了工业 相似文献
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