水平连续铸造球墨铸铁塑性变形的研究

本文研究了不同成分的砂型铸造和水平连续铸造球铁棒材的塑性性能。结果得出,对于普通成分的球铁,铸造方式对压缩变形率影响不大,但对合金球铁,连续铸造棒材的高温塑性要优于砂型铸造。连续铸造棒材可以自由锻造成各种形状,可以模锻成球。可利用锻造后的余热进行热处理,经盐浴等温后,可达σ b=1420MPa,δ=8.7%,α K=118J/cm2的优异综合性能。连续铸造棒材的成分偏析小。锻压后,内部的石墨变成条状;铁素体沿石墨分布呈相应条状,并且数量增多。     

磁控溅射纳米纤维基银膜的结构和性能

在室温条件下采用直流磁控溅射方法,在醋酸纤维素(CA)纳米纤维表面沉积纳米银(Ag)薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同溅射功率的纳米银膜的形貌和微结构进行表征;利用X射线衍射分析了纳米银膜的结晶状态;同时研究了在不同溅射功率条件下制备的沉积纳米Ag膜复合纳米纤维的光学透射性能。实验结果表明：纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,随着溅射功率的增加,组成纳米Ag薄膜的Ag粒子尺寸增大,薄膜的致密性和均匀性增加;制备的Ag薄膜均呈面心立方的多晶结构,并且结晶性能随着溅射功率的增加而逐渐增加,抗紫外线透射能力明显增强。     

InGaN／GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响

量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题，虽然从理论上已提出了多种计算模型，但不同的模型所计算出的结果差别很大，且不同的模型所使用的范围尚不确定，因此激发了从实验上予以研究的要求。另外，含N的Ⅲ-Ⅴ族究竟适用何种模型尚无定     

掺磷四面体非晶碳薄膜的电学性能

采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为。结果表明,磷掺入增加了薄膜中sp~2杂化碳原子含量和定域电子π/π~*态的数量,提高了薄膜的导电能力,且以-80 V得到的ta-C:P薄膜导电性能最好,在293—573 K范围内ta-C:P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制,电流-电压实验证明ta-C:P薄膜为n型半导体材料。     

基于传输设备散热方式的机房空间资源规划讨论

伴随传输设备容量快速提升,不同散热量和散热方式的大容量传输设备将对通信机房内其周边设备产生重要影响.通过对不同散热方式的传输设备在通信机房中的布放位置进行预先调研和合理规划,能够有效降低因传输设备散热过于集中或不同散热方式导致周边设备产生环境温度告警或故障问题,以适应未来通信机房内容传输设备功耗和散热方式不同的问题.     

层状MCM-22硼硅结构分子筛的合成与表征

利用水热合成方法制备了层状MCM-22硼硅结构分子筛。X射线衍射和核固态核磁研究了温度、碱度、晶化时间等因素对产物物相的形成与组装的影响。研究表明,在温度423 K,投料摩尔比为SiO2∶B2O3∶KOH∶H2O=1∶6.1∶0.12∶19,15 d左右可以得到结晶度良好的B-MCM-22分子筛晶体。电镜照片显示晶体为碟状,晶体尺寸为(5~10)μm×(2~3)μm。根据不同时刻晶体的晶化电镜照片,提出了B-MCM-22分子筛可能具有的独特晶化机理。     

铸态奥氏体-贝氏体球墨铸铁的研究

本文较系统地研究了在不同模数下,合金加入量对铸态奥氏体-贝氏体球墨铸铁的组织和性能的影响。研究结果表明,通过合金化获得铸态奥-贝球铁是可行的。它的抗拉强度可达9×10{sup}8N/m{sup}2以上,延伸率可达3%以上。并且它具有较高的低温冲击韧性,在-40℃时,冲击韧性（V型缺口）达4.6J。常温断裂韧性可达5.4×10{sup}7N/m{sup}(3/2),经325℃回火后可再提高20%,研究表明,残余奥氏体对于机械性能有良好的作用。     

InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究

应变普遍存在于失配系统中，包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配，其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题，虽然从理论上已提出了多种计算模型，但不同的模型所计算出的结果差别很大，且不同的模型所使用的范围尚不确定。这就激发了从实验上予以研究的要求。另外，含N的Ⅲ-Ⅴ族究竟适用何种模型尚无定论，且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究。本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了InGaN／GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响。得出InGaN／GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度更适合基于介稳外延半导体结构应变弛豫的Fischer模型；失配位错为纯刃型位错，可通过滑移面的改变而形成穿透位错；弛豫发生后，非常明显地影响发光性能，尤其是室温下的发光性能。     

PZT薄膜的晶格常数与其厚度的关系

对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001）衬底上生长的Pb(Zr0.52Ti0.48）O3薄膜材料，应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直（a⊥）和平行（a||）于表面方向的晶格常数与其厚度的关系。研究结果表明，随着PZT厚度的增加，a⊥增加，而a||减小。这种晶格常数的变化，不能用一般的薄膜弹性畸变来解释，我们归结为晶体的尺寸效应起了很大的作用。X射线衍射的测量结果表明，随着PZT厚度的增加，其晶粒尺寸也增加。