HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。     

2.35μm碲镉汞光伏探测器离子注入工艺研究

利用p型Hg_(1-x)Cd_xTe(或简称MCT)组分x=0.44体晶材料,研究了B~+离子注入平面工艺制备2.35μm截止波长12元双线列光伏探测器。探测器主要性能D_λ~平均达4.4×10~(11)cmHz~(1/2)W,λ_p、λ_c比波段要求平均低约3.2％和5.1％。