GaP∶N 绿色 LED n2层载流子浓度的优化

在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.     

p~ -n~--n结的势垒分布

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性, 由泊松方程自洽求解, 得出了半导体n~-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上,计入n~-区内的电位降, 计算了商用发光二极管p~ －n~-－n结构的势垒分布, 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。     

GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响

用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .     

正交配置EBIC的线形

少子扩散长度(L)是表征半导体材料性能的一个重要参量。扫描电子显微镜的电子束感生电流(EBIC)常用于测定少子扩散长度,但由于表面复合的影响,给精确测定L值带来困难,本文给出一个简单模型,讨论了EBIC信号的线形,并结合GaP样品对少子扩散长度进行了讨论。对电子束入射方向z与结平面平行情形(即称为正交配置)中电子束感生电流线形进行理论分析。电子束沿x方向扫描,p-n结位于x=0的(y,z)平面内。电子束入射表面为z=0的(x,y)平面,见图1。由入射电子束感生的过剩载流子浓度:Δn(x,y,z)=I(x,y,z)g(x,y,z)(1)式中I(x,y,z)为(x,y,z)处入射电子…     

电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结

用低能双离子束淀积技术，在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2／Si异质结构。利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明，样品界面清晰、陡峭，无氧化硅生成，这反映了外延层与Si衬底间过渡区很窄；外延层内组成元素Ce，O分布均匀，为正化学比CeO2相。原生样品经高温退火后，界面出现了氧化硅层，且过渡层增厚。最后讨论了有关影响CeO2／Si外延生长质量的因素，可认为高质量CeO2／Si结构生长的关键主要依赖于生长初期Si衬底表面不受氧化污染。为此，在IBD生长时，采取了一系列技术措施，得到了满意的结果。     

GaP：N绿色LEDn2层载流子浓度的优化

在已报道的p-n2-n1结构势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算，对于正确情形，计入了n2区产生的压降，考虑到GaP:N LED发光区主要在p区，注入效率γ=jn/(jn jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流。p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散；n2区内外加正向偏压时电场不能忽略，空穴又被n2-n1结势垒阻挡（设被完全阻挡）。则问题归结为求解有限厚度层中穴的扩散和复合方程。由边界条件求出空穴扩散电流，将求出的电子扩散电流和穴位扩散电流代入注入效率的表达即可求得γ，对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明，当n2值在10^15-10^16cm^-3范围内时，注入效率较高，与实验结果基本相符。     

GaP:NLPE片的纵向载流子浓度分布

阐述了ＧａＰ：ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法,探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。     

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．