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1.
集成电路芯片级的热分析方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
文章在研究分析了集成电路中功耗的主要来源以及温度对集成电路性能的影响后,详细总结了近年来集成电路芯片级的几种热分析方法。并从实际应用角度对这几种方法进行了分析和比较,讨论了各个方法的优点及其适用范围。  相似文献   
2.
ZnO单晶薄膜光电响应特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.  相似文献   
3.
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.  相似文献   
4.
光纤气体传感器研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
光纤气体传感器较传统气体传感器有诸多优点,特别是在恶劣环境检测等方面.它越来越引起人们的广泛关注,并得到了深入的研究和广泛的实用化.本文对新兴出现的几种常见的光纤气体传感器类型的原理和现状以及发展的方向进行了论述.  相似文献   
5.
文章探讨了运用钢筋扫描仪检测钢筋保护层厚度的检测技术,介绍了电磁感应式钢筋扫描仪的工作原理及扫描方法,阐述了钢筋保护层扫描图像分析方法,并通过工程实例中各种典型钢筋保护层厚度扫描图像,分析可能影响检测结果的因素并提出针对性的解决措施,以确保钢筋保护层厚度检测结果真实、准确。  相似文献   
6.
对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射.为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好.利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数.  相似文献   
7.
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光潜具有明显的响应,其响应截止波长为368nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响.  相似文献   
8.
伸杆对星载电场探测仪的影响研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
通过一定长度的伸杆使电场探头与卫星本体保持一定的距离,可以减小卫星本体鞘层对电场测量的影响。但卫星在运行时伸杆与电场探头之间可能存在电位差,从而为电场测量引入误差。该文利用卫星与等离子体相互作用模拟软件(SPIS)并结合法国DEMETER卫星的伸杆和电场探头模型,模拟了伸杆与探头之间不同电位差对电场探头收集电子流的影响,模拟表明当伸杆电位低于探头电位时,对电场测量影响较小,当伸杆电位高于探头电位时,对电场测量影响较大,且电位差越大,影响越显著。当等离子体浓度增大即德拜长度减小时,伸杆电位形成的鞘层减小,因此伸杆对电场测量的影响比低浓度时有所减小。  相似文献   
9.
半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.  相似文献   
10.
InP 层对正面及背面入光 PIN 探测器响应度影响研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。  相似文献   
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