GaN基不同电极形状的LED性能比较

对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。     

浅谈建设工程项目施工管理

1 进度管理 1.1 制定进度计划 承包商根据现场施工条件和合同中的工期,编制出详细的施工进度计划.     

Optimization of electrode shape for high power GaN-based light-emitting diodes

Because the polarization effect influences the distribution of the carriers in the multiple quantum wells of the light-emitting diodes （LEDs）, the light-emitting efficiency is also affected. The influence of the polarization effect on GaN-based LEDs＇ performance is simulated. By simulating four different types of electrode shapes, it＇s found that the electrode shape influences not only the photoelectric characteristics but also the optical absorption by the semiconductor. Through the optimization of the electrode shape, the I-V characteristic is improved, and the series resistance is lowered. The optical absorption by the semiconductor is decreased and then the heat generated in the LEDs is lowered. As a result, both the photoelectric conversion efficiency and the stability are improved.     

用于高亮LED的Si键合研究

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。     

一种新型的钠原子磁光陷阶（MOT）

一种新型的钠原子磁光陷阶（ＭＯＴ）磁光陷阱是冷却和捕获超冷原子的主要方法，目前国际上不少实验室中均已获得超冷原子气体。磁光陷阱的工作原理是在超高真空（１０７Ｐａ）钠原子吸收池中，用六束激光（上、下、左、右、前、后）交汇于吸收池中心。同时在吸收池上装有...     

高效率Nd：YVO_4激光器的特性研究

报道激光二极管泵浦的Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器的激光特性研究。激光晶体Ｎｄ：ＹＶＯ４厚度为１ｍｍ，基横模（ＴＥＭ００模）输出功率为２７３ｍｗ，斜率效率为４１％。     

GaN—LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善

氧化铟锡（ITO）对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式。探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜。用W In．o,：Wsn0．=0．95：0．05的ITO锭做靶材。然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形（电极直径）的尺寸并比较侧蚀量的大小．发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。     

人造金刚石热沉的锁相列阵半导体激光器热特性计算分析

用镜象法求解金刚石薄膜和铜组成的热沉中的热传导方程,计算了不同厚度金刚石薄膜对器件温升和各条间温差的影响。