排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
低压化学汽相淀积系统(LPCVD)具有产量大,均匀性好和成本低等优点,最近国外已大量的用于半导体工业中制备SiO_2、Si_3N_4和多晶硅薄膜,用于硅外延也能够降低温度和抑制自扩散.最近我们发现低压外延有选择性生长现象.我们在H_2-SiCl_4体系,以SiO_2为掩模,反应管压力为80~100托,温度高于1050℃,H_2流量为6升/分,SiC_4浓度低于0.027克分子数,在SiO_2 .处没有发生硅的淀积,而在SiO_2的窗孔内硅片上可以得到0.2~0.5微米/分的生长速度. 相似文献
1