DC-DC电荷泵的研究与设计

以Dickson电荷泵的基本原理为出发点，研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点，为确定电容时间常数，采用非交叠时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的当电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOS-FET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度，使转换效率得到明显提高。此电路结构简单，性能优良，易于集成，可广泛应用于输出负电压的电源产品中。     

基于高阶单比特∑△调制器的频率综合器

本文介绍了高阶单比特∑△调制器在小数分频频率综合器中的应用。普通小数分频频率综合器容易产生很大的杂散频率，采用∑△调制器可以有效消除杂散频率降低相位噪声。由于多比特MASH结构的非线性，这里采用单比特高阶∑△调制器（CIFB），最后提出实现电路。     

无电阻带隙基准电压源

本文提出了一种无需使用电阻的带隙基准电压源。采用反函数方法,利用两对成比例的源耦差分对产生基准中与温度成正比(PTAT)的电压项。该电路实现了一阶温度补偿,在0.6μmCMOS工艺条件下,电路spectre模拟仿真结果表明,在-45°C～-80°C范围内,输出电压变化低于1mV。电源电压为4V时,功耗为52μW。     

DC-DC电荷泵的研究与设计

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点．研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点．为确定电容时间常数．采用非交叠(nonoverlapping)时钟控制信号．避免了由于时钟交叠而造成的电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOSFET的电容模型．通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度．使转换效率得到明显提高。此电路结构简单、性能代良、易于集成．可广泛应用于输出负电压的电源产品中。     

直流开关电源的研究

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点，研冤了一种输出是负电压的开关电容电源电路参考功率MOSFET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时．提高了开关动作的速度，使转换效率得到明显提高。同时，针对开关电容的充放电特点，采用非交叠(nonoverlap-ping)时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的两级开关同时导通的现象，提高了电路的稳定性和可测试性采用压控震荡器频率的变化来控制功率开关管的开关时间，有效地控制了由于负载变化而造成的输出电压不稳定等现象。此电路结构简单，性能优良，易于集成，可广泛应用于输出负电压的电源产品中。     

基于高阶单比特Σ△调制器的频率综合器

本文介绍了高阶单比特Σ△调制器在小数分频频率综合器中的应用。普通小数分频频率综合器容易产生很大的杂散频率,采用Σ△调制器可以有效消除杂散频率降低相位噪声。由于多比特MASH结构的非线性,这里采用单比特高阶Σ△调制器(CIFB),最后提出实现电路。     

一种崭新的维特比译码器找点算法的VHDL实现

提出了一种维特比译码器的找点算法，并按ＣＣＩＴＴＶ．３２ｂｉｓ协议用ＶＨＤＬ语言合理实现了ＭＯＤＥＭ中维特比译码模块的设计，得到了电路规模较小。     

快速锁定技术在锁相环中应用

文中讨论锁相环线性时不变系统传输函数数学模型,锁相环的锁相时间以及锁相后的扰动毛刺的关系.从理论上引入可以快速进入锁定的几种方法,建立快速锁定的Simulink模型,并介绍电路实现方法.     

基于MCU的可测试性设计

根据ＭＣＵ结构非常复杂且具有指令系统的特点,没有采用一般数字电路设计的从结构出发的ＤＦＴ技术,而是设定了ＭＣＵ的３种工作模式,提出了一种在ＭＣＵ中加入规模很小的模式选择电路,对部分电路作较小改动,就可以对芯片内的各块电路进行功能测试的方法。在完成了ＭＣＵ的可测性设计后进行了仿真,结果表明电路能正常工作在各种模式下。     

三漏CMOS磁敏开关的设计

介绍了一种新型的磁敏开关.它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上.该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T.由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易.