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据《电子材料》(日)1994年第1期报道,东芝公司制造出采用0.5μmCMOS微细加工技术的ASIC新产品系列。具体情况如下:1.有实现了3.3V低电压工作的嵌入阵列TC180E系列。2.有工作电压3‘3V和5V能与LSI连接且能使用的门阵列TC183G系列,标准单元TC183C系列以及嵌入阵列TC183E系列总计有4个系列品种进入商品化阶段,现已开始订货活动。该系列的主要特点如下:1.由于各系列均采了0.5μmCMOS微细加工技术,因而门延迟时间实现了0.23ns,与采用5V单电源的本公司以往ASIC相比较,实现了20%的高速化。2.TC183G/C/E各个系… 相似文献
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莫托罗拉公司现已开发出实现了存取时间高速化的1M/256KSRAM5个品种,预计在94年第一季度后半期开始批量生产。1M产品共有下列3个品种:128K×8位的“MCM6726A”、256K×4位的“MCM6728A”“MCM6729A(内含输出启动功能)”。256K产品有如下2个品种:32K×8位的“MCM6706R”、64K×4位的“MCM6709R”。在工艺中采用了BiCMOS技术,在存取时间上,1M产品为8ns,256K产品为6ns,实现了较理想的高速存取时间。另外,为了确保可靠性,备有中央电源和I/O管脚,实现了低噪声、全静态启动,与TTL可进行互换。封装形式为SOJ,M… 相似文献
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