TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理

本文叙述Ti_XW_(1-X)合金薄膜的制备方法以及不同的TiW组份对Ti_XW_(1-X)/Si势垒高度的影响.结果表明:当TiW组分不同时,TiW/Si接触的势垒高度会在一定的范围内(0.54eV～0.66eV)变化.由于TiW/Si的势垒高度较低,所以在电路中采用TiW/Si SBD则有利于SBD面积的缩小.     

大规模集成电路的金属/半导体接触技术

引言在集成电路发展的整个历程中,金属与半导体的接触(简称金/半接触)技术自始至终就是集成电路生产中一道十分关键的工序。金/半接触的成败,直接关系到集成电路的成品率和可靠性。在集成电路发展的初期,器件的纵向尺寸(如结深)和横向尺寸(如接触窗口)都比较大,因此一般采用金属铝就能十分满意地达到要求。然而,随着集成电路的飞速发展,尤其是近几年来引入了按比例缩小规则的大规模、超大规模集成电路的出现,使得对金/半接触技术的要求愈来愈高。这些要求主要表现在两方面:第一,在器件的横向尺寸方面,按比例缩小规则要求器件的接触孔愈来愈小,这势必使金/半接触电阻愈来愈大,而接触电阻的变大则直接影响到电路的速度和功耗。因此,必须研究新的具有更低接触电阻的金/半接触系统。第二,在器件的纵向尺寸方面,按比例缩小规则要求器件的结深变浅(比如说0.1～0.3μ)这就要求金属/半导体接触的界面十分平整。否则,将使结的电性能很     

淬火提高转炉钢“钢三”强度

对低炭钢进行热处理以提高其温度,已有不少人重视:Приданцев等、Н.В.施米德特等试验平炉“钢三”的淬火;Стародубов等也将电炉低炭钢进行了钢质处理;鞍山钢铁公司也用喷水冷却以提高平炉“钢三”强度。我们研究了转炉“钢三”淬火处理。试样是上钢五厂侧吹碱性转炉冶炼的φ55圆钢材。钢的化学成份如下:C0.07～0.09％、Si0.17％、Mn0.34％、P0.012％、S0.036％、N_20.029％。将钢材锻成φ17和φ28圆棒在马弗炉内分别加热到     

THE DESULFURIZATION AND MANGANESESULFUR EQUILIBRIA IN THE OPEN-HEARTH PROCESS

在本文中,我们提出了三个考察碱性平炉渣、钢间硫分配平衡的方法:(i)硫分配比(S)/[S]与新碱度,(ii)硫氧比(S)/[S][O]与总酸量Σα=N_(SiO_2)+4/3N_(P_2O_5)+4/3N_(Al_2O_3),(iii)硫铁比(S)/[S](ΣFe)与(％SiO_2)+0.5(％P_2O_5)+0.2(％Al_2O_3)。计算结果颇能符合平衡的要求。锰硫平衡用相似于(ii)的方法来处理,即将(α_(MnO))(S)/([Mn][S])与Σα作图,得出与硫氧比相似的曲线。此外,我们将Chipman等的硫氧比—％SiO_2(分子)由线适当延长以包括酸性渣区域,并从离子观点介释碱性区域曲线的形状。     

平炉炼钢过程中的脱硫和锰硫平衡

在本文中,我们提出了三个考察碱性平炉渣、钢间硫分配平衡的方法:(i)硫分配比(S)/[S]与新碱度,(ii)硫氧比(S)/[S][O]与总酸量Σα=N_(SiO_2)+4/3N_(P_2O_5)+4/3N_(Al_2O_3),(iii)硫铁比(S)/[S](ΣFe)与(%SiO_2)+0.5(%P_2O_5)+0.2(%Al_2O_3)。计算结果颇能符合平衡的要求。锰硫平衡用相似于(ii)的方法来处理,即将(α_(MnO))(S)/([Mn][S])与Σα作图,得出与硫氧比相似的曲线。此外,我们将Chipman等的硫氧比—%SiO_2(分子)由线适当延长以包括酸性渣区域,并从离子观点介释碱性区域曲线的形状。