1.46～1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46～1.66GHz频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于250W,功率增益大于7.0dB,效率大于45%.     

1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制北大核心CSCD

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。     

1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。     

千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。     

1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所近期研制成功1.44～1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44～1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝.     

C312-1型大功率LDMOS功率管外壳

<正>LDMOS功率管在雷达、无线通讯基站、无线广播发射塔等电子系统中具有广泛的应用,而该类器件对外壳的散热和可靠性有很高的要求。南京电子器件研究所最近研制成一种用于封装300 W LDMOS功率管的高可靠外壳—C312-1型多层陶瓷外壳,具有比较优异的性能。该外壳由金属底板、陶瓷框架和陶瓷盖板组成,器件采用金锡封帽工     

Si腐蚀工艺的优化

腐蚀Si时工艺顺序不同,得到的Si片表面状态也不同,导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究,获得了优化的腐蚀Si工艺条件,得到了平整的Si表面,从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。     

2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管

微波系统对功率放大用的硅功率晶体管的微波输出功率、增益、效率等性能指标提出了越来越高的要求。南京电子器件研究所先后在 P,L,S,C波段硅微波功率晶体管研究领域取得进展。最近又研制成功工作频率 2 .2～ 2 .4GHz,脉冲宽度 1 0 0μS,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 1 0 W,功率增益大于 8.0 d B,效率大于 45 %的硅脉冲功率晶体管。微波功率晶体管设计制造的重点和难点主要有如下三个方面 :1 .克服微波寄生参数 ,提高微波增益性能 ;2 .克服基区大注入效应 ,提高功率容量 ,保持大功率条件下的微波性能 ;3.克服大功率应用所带来的热效应 …     

微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究

介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。     

3.1~3.4GHz 120W硅脉冲功率晶体管

硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点,在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用.随着系统向小型化、高机动化、高可靠方向发展,要求单只器件的输出功率尽可能大.因此硅微波功率器件也在不断向大功率方向发展.