新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

SiC 半导体材料与器件（1）

本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

基于EZ-USB的电脑眼接口

对以CMOS视频传感器为核心的数字图像设备（电脑眼）与USB接口进行了研究,并利用Anchor公司的EZ－USB 2131Q芯片设计了一种基于外接RAM的单片方案,实现了电脑眼的USB接口。     

Pt／InP肖特基二极管气敏特性的研究

本文研究了Ｐｔ／ｎ－ＩｎＰ肖特基二极管在氢、氧气氛下的Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性．测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氧气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性．     

大功率集成器件的新发展—IGCT

集成门极换向晶闸管（IGCT）是一种瓣开发的用于功率变换的新型大功率开关器件,由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,因而使动态损耗降低了约50％,另外,此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二极管,从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态压降、高阻继电压和晶体管稳定的开关特性有机结合。文中介绍了瑞士ABB公司的5SHY35L4502型IGCT器件的主要特性和一些典型值。     

结势垒控制肖特基整流管的优化设计

本文在分析结势垒控制肖特基整流管工作原理的基础上，详细讨论了器件特性与结构参数的关系；给出了器件优化设计的依据，建立了适用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序的器件等效电路模型。